三星2011年半导体资本支出拟为92亿美元

    据外电报导，三星电子(SamsungElectronics)继2010年对半导体进行达96亿美元的大规模资本额投资后，2011年也将持续投资92亿美元发展半导体事业。三星连续2年在半导体投资额排名居世界之冠。

    三星2011年将优先对华城厂16产线进行投资建设，此外为量产30奈米制程DRAM、20奈米制程快闪存储器(NANDFlash)等，也将积极投资微细制程化作业。同时三星也将在美国德州奥斯汀设立系统半导体生产线，进行资本额投资。

    据市调机构Gartner统计，三星2010年对半导体设备投入96亿美元资金，2011年也将大笔投入92亿美元，投资规模居世界第1。排名第2位的英特尔(Intel)2011年将投资50亿美元，较2010年减少2亿美元，而排名第3的台积电2011年将投资49亿美元，较2010年减少10亿美元。

    而2010年投资18.15亿美元的东芝(Tosshiba)，估计2011年将投资36.3亿美元，在半导体资本额投资方面2010年排名第7，2011年将可望攀升至第4名。

    海力士(Hynix)2010年投资25亿美元，排名第5，2011年约投资27.5亿美元，排名将滑落至第6，并由GlobalFoundries以投资32亿美元接下第5名位置。除此之外，华亚、美光(Micron)、联电、尔必达(Elpida)等投资排名2011年也将提升至7~10名。