先进制程推动EUV需求 ASML加速布局

10奈米及7奈米等先进制程节点带动极紫外线(EUV)设备持续成长，看好未来潜在商机，半导体设备大厂艾司摩尔(ASML)也加速布局脚步，提升EUV设备出货量，计划于2018年达到出货20台， 2019年出货30台以上EUV设备的目标。

ASML总裁暨执行长Peter Wennink表示，该公司的第一季营收超出预期，主要原因除了来自于客户对于深紫外光(DUV)微影系统和全方位微影方案(Holistic Litho)的需求外，还有EUV的业务持续成长。 ASML于2018年第一季完成3台EUV系统的出货，另1台正准备出货中；且同时于第一季获得9台EUV设备--NXE:3400B的订单。

Wennink进一步说明，种种迹象来看，该公司看到了EUV设备于2018年的良好开局，而该公司也认为EUV业务于2018年将会持续稳健成长，无论是销售额或是盈利。

ASML日前公布2018年第一季财报，第一季营收净额(Net Sales)为22.9亿欧元，净收入5.4亿欧元，毛利率(Gross Margin)为48.7%。 预估2018第二季营收净额将落在25~26亿欧元之间，毛利率约为43%，反映EUV营收将大幅增加。

Wennink指出，已有许多客户公开讨论将于2018年底前采用EUV进行芯片量产。 为满足此一需求，该公司计划在2018年完成20台EUV系统出货，并在2019年将EUV出货量拉升到30台以上，协助客户达成量产目标。

同时，Wennink透露，该公司也已经从三个主要客户接到了下一代高数值孔径(High-NA)的EUV设备订单，且售出了8个High-NA EUV系统的优先购买权(Options)。

据悉，High-NA是EUV微影技术的延伸，其分辨率(Resolution)和生产时的微影迭对(Overlay)能力比现有EUV系统高出70%，以实现未来产业对于几何式芯片微缩(Geometric Chip Scaling) 的要求。

另一方面，ASML也继续提升EUV技术的吞吐量(Throughput)；在一个客户端的测试中，可达到每小时曝光125片晶圆的量产里程碑，同时在ASML的实验室中也展现每小时曝光140片晶圆的能力。

至于在全方位微影方案上，ASML第一季已完成采用多重电子束技术(Multiple e-beam)的图案缺陷量测(Pattern Fidelity Metrology)系统--ePfm5出货。 该系统是ASML收购汉微科后共同研发的产品，具备更高的分辨率以检测系统缺陷。

这项创新的电子束量测系统和ASML的表达式微影(Computational Lithography)软件结合，能够在实际制造芯片的过程中，实时提供电子束的反馈给微影系统 ；而ASML也已经证实多重电子束能够进一步提升电子束量测的产能，应用于量产阶段。