美媒称，中国新设了一只价值2041.5亿元人民币（约合289亿美元）的国家半导体基金。中国正寻求培育本土芯片产业，并缩小与美国的技术差距。据美国《华尔街日报》网站10月25日报道，根据企业注册信息，这只政府支持的基金是22日成立的，规模比2014年发起的一只类似基金大，那只基金筹集了约1390亿元人民币。
报道称，这只新基金是中国决心降低对美国技术依赖的最新迹象。
报道称，在半导体领域，中国仍面临通往全球主导地位的漫长道路。
报道还称，2014年的基金向数十个项目投入了数以十亿计的美元。其中之一是长江存储科技有限责任公司。该公司9月时说，它已开始量产一种名为64层3D NAND闪存的高级存储芯片。
报道称，虽然这家公司正迅速追赶，但它仍落后于韩国的三星电子等已经在生产更先进芯片的行业领军者。
总的来说，分析人士认为，中国在半导体技术的关键领域仍落后英特尔、三星等行业领先对手。
报道称，除了芯片，中国自给自足努力的另一个主要瓶颈是芯片制造设备，中国在该领域不占主导地位。领先的公司包括美国的应用材料公司和泛林集团、荷兰的阿斯麦控股公司和日本的东京电子公司。
报道指出，中国海关数据显示，中国在2018年进口了价值3121亿美元的半导体产品，超过了2403亿美元的原油进口额。
从国内官方政策面来看，10月上旬工信部宣布积极部署新材料及新一代产品技术的研发，藉此推动工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模组产业的发展。同时工信部也将启动2期国家集成电路大基金，进一步推动国内外半导体资源整合与重组；2期大基金不同于1期著重于集成电路设计及製造环节，会重点部署半导体设备、材料、应用端，规划以扶持行业龙头、发展园区聚集资金、补助中国产业链等方式来进行，此皆宣示中国将持续以政策支持半导体业的发展。
从中国半导体企业发展的角度来看，科技红利之有效研发投入，才是建立独立自主核心技术体系的有效手段，即持续高效率的研发投入是科技企业成长的真正内在动力。中国半导体业者除在封测方面投入先进封装技术产能的扩充，特别是Bumping、WLCSP等，为即将到来的5G通讯和物联网发展商机提前布局，以及晶圆代工方面力求2019年底前进行14纳米FinFET量产计划，同时12纳米制程开发进入客户导入阶段。
记忆体制造方面也看到中国业者展现初期成效，除长江存储于9月量产64层NAND Flash、2021年j计划量产DRAM之外，合肥长鑫存储则是于2019年底量产19纳米DDR4及LP DDR4 DRAM；另外集成电路设计方面除陆企持续在CPU、GPU、FPGA、类比IC、EDA等积极寻求突破外，AI芯片似乎也成为美中5G争霸的下一个战场。
9月平头哥亮相的首款人工智能推理芯片「含光800」，且不论其真正效能是否能与国际业者匹敌，但中国业者欲建构一套全面端到云的芯片生态系统企图心不言可喻。
中国半导体自主可控的硬件基石，本土突破正在加速，但仍不否认包括晶圆代工、记忆体制造进程仍是落后于全球领先梯队，而关键核心芯片的专利、技术更非轻言可突破国际大厂所筑起的高门槛。
幸好中国拥有庞大的落地应用，况且下游物联网、汽车电子、5G终端等领域对于半导体产品的需求将直接推动中国半导体企业的技术与产业升级，加上电子零组件环节实力雄厚，因而上游半导体核心突破将是中长期大势所趋。
