不畏三星/英特尔14nm攻势 台积16FF+先蹲后跳

面对英特尔(Intel)、三星(Samsung)双双宣布旗下14奈米鳍式场效应电晶体(FinFET)处理器正式迈入量产，台积电亦不甘示弱，将于今年第二季量产16奈米FinFET强效版制程(16FF+)，拉升晶片效能和功耗表现；此外，安谋国际(ARM)与赛灵思(Xilinx)也已接连揭橥16FF+相关产品蓝图，将有助台积电在1x奈米制程市场扳回一城。

工研院IEK电子组系统IC与制程研究部研究经理彭茂荣表示，台积电挟在晶圆代工领域长久累积经验，在短时间内将原先规画的16奈米FinFET升级为效能更强、功耗更低的16FF+，并将量产时间提前至2015年第二季，目的除追赶半导体一哥英特尔发展脚步外，亦有防堵三星趁隙崛起的意味。即便14奈米已先一步投产，但从16FF+良率与性能不断攀升，且可望在今年底前完成数十件设计定案(Tape Out)的进度来看，2015年16FF+市占率可望先蹲后跳。

安谋国际移动通讯暨数位家庭部门资深市场经理林修平指出，半导体产业正面临电晶体制造技术由平面转向立体式的转捩点，因此该公司也加紧与台积电展开16FF+设计验证，并已正式发布16FF+ POP(Process Optimization Pack)矽智财(IP)，以及支援该制程的Cortex-A72、Mali-T880等处理器核心，将有助系统单晶片(SoC)合作夥伴加速实现基于FinFET架构的解决方案。

相较于三星14奈米制程目前仅能用于自家处理器的进展，台积电与安谋国际联手出击，对16FF+制程推广将大有助益。事实上，安谋国际也坦言，其与多家晶圆厂合作，分别发展16和14奈米制程，但目前仅揭橥16FF+ POP IP，在14奈米方面则尚未有对应方案；此也让未来的1x奈米FinFET技术战局更添变数。

赛灵思全球资深副总裁暨亚太区执行总裁汤立人强调，看中16FF+的效能功耗比更加出色，赛灵思也延续与台积电在先进制程技术上的合作，宣布将于今年第二季量产新系列16奈米系统单晶片现场可编程闸阵列(SoC FPGA)--UltraScale+，可望较先前28奈米方案提高二到五倍的效能功耗比，进而满足5G行动通讯网路、400G光传输网路，以及8K×4K影像处理机制等前瞻科技的先期研发需求。

台积电透露，相较于平面式电晶体结构的20奈米制程，16FF+速度增快40%，在相同速度下功耗则降低50%，系建构下世代高阶行动运算、网通及消费性产品SoC的关键利器；现阶段，16FF+已开始试产，预计今年中全面导入量产，并将于11月前完成所有可靠性验证，年底前则可望发表近六十件设计定案。