值得注意的是，此次同方国芯定增方案中有600亿元定增资金用于存储芯片工厂建设，而NAND作为存储芯片中的一个主导产品，有券商表示，该行业存在产能过剩的隐忧。同时，同方国芯何时能取得存储芯片生产技术也是其实施存储芯片战略的关键步骤之一。
NAND大幅扩产
11月6日，同方国芯公布的《非公开发行股票预案》（以下简称“预案”）显示，公司本次非公开发行A股股票募集资金总额不超过800亿元，扣除发行费用后拟全部用于如下项目：600亿元用于存储芯片工厂；37.9亿元用于收购台湾力成25%股权；162亿元用于对芯片产业链上下游公司的收购。
存储芯片，又称为存储器，是指利用电能方式存储信息的半导体介质设备，其存储与读取过程体现为电子的存储或释放，广泛应用于内存、U 盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域，目前有取代磁盘的趋势，存储芯片是全球芯片市场比重最大的产品之一。
目前国内半导体存储芯片需求大，但国产化比例小，主要依赖三星、英特尔、东芝等国外企业。据统计，国内消耗的 80%的芯片都需要进口，尤其是高端芯片几乎全部进口。
《预案》显示，存储芯片根据断电后所储存的数据是否会丢失，可以分为易失性存储器（Volatile Memory）和非易失性存储器（Non-Volatile Memory），其中DRAM(动态随机存取存储器)与NAND Flash（资料储存型闪存）分别为这两类存储器的代表。尽管存储芯片种类众多，但从产值构成来看，DRAM与NAND Flash已经成为存储芯片产业的主要构成部分。根据IDC的统计数据，2013年存储芯片市场规模接近690亿美元，而DRAM和NAND Flash 就占据了约600亿美元，占比超过85%。
DRAM 是最常见的存储元件之一，常用的 PC 内存就是一种 DRAM。 DRAM发展至今，已经成为 PC、智能手机、平板电脑以及服务器等产品不可或缺的零组件。由于对大容量、高速度、小体积和便携性存储需求的增加，智能手机搭载NAND Flash 的容量快速增长， SSD（固态硬盘）也在 PC 中获得青睐。智能手机与 SSD 已经成为 NAND Flash 最主要的需求。
《预案》显示，同方国芯将投资新建存储类芯片工厂，工厂实施完成并完全达产后，预计可新增12万片/月的存储芯片生产产能。根据公司测算，该项目计划投资总额约为938.27亿元。其中建设投资为920.33亿元，铺底流动资金17.94亿元，公司拟以本次募集资金投资600亿元，其余部分由公司自筹解决。
根据同方国芯测算，预计项目投产一年后可完全达产，即至项目建设后第四年生产负荷可达 100%。本项目运营期内年均不含税营业收入为353.56亿元，预计年均利润总额为87.19亿元，税后财务内部收益率为17.65%，税后投资回收期6.28年（含建设期2年）。
对于DRAM和NAND厂商扩张意愿，《预案》中表示，DRAM 目前主流的制程为 20nm~30nm， NAND 也进入 20nm 以下制程的时代，进一步缩小制程所需的研发与建厂投资大大增加，新建厂房往往需要花费数十亿美元，所以，从整体上来看，存储芯片厂商的扩产意愿和扩产能力都不强。
对于DRAM和NAND前景，广发证券电子元器件分析师许兴军在其研究报告中指出，DRAM行业得益于过去频繁发生的破产、并购与整合，目前寡头垄断的格局已然形成，行业供给相对可控，在 PC 和智能手机需求的刺激下，预计未来DRAM 整体供需大概率将保持平衡或供给略微紧缺的状态。
许兴军进一步指出，未来NAND 行业有可能重现产能过剩与价格下跌的状况。从需求方面来看，智能手机对NAND Flash的需求保持较快增长，但SSD成为最大的不确定性因素。目前，SSD每GB的价格仍然高出普通磁盘(HDD)数倍，在消费级市场的吸引力有限；同时，在企业级市场以及数据中心应用方面，由于对SSD的稳定性与寿命仍然存在疑虑，未来这类市场的存储需求仍然以HDD为主，若SSD的发展不及预期，那么整个NAND市场的需求增长势必将大打折扣。
其表示，从供给端来看，由于NAND市场相对分散，厂商之间难以形成有效的自律，近两年来纷纷扩产。例如东芝与SanDisk合资建立的Fab 5工厂，以及美光新加坡的Fab 7工厂等，皆将各自的NAND Flash产能提升至1.5~2倍的水准。近两年来，整个NAND产业的晶圆产量一直保持上升趋势， 再加上由于制程技术进步导致的单片晶圆产出芯片数量增多， 整体NAND位元(Bit)产能实际增长更快。
许兴军表示，从NAND整体供需状况来看，近几年来一直呈现略微过剩的状态。随着各大厂商的大幅扩产，产能过剩将进一步加剧， NAND产业未来恐难乐观。
不过，上海一位券商人士也对记者表示，对于未来NAND是否会出现产能过剩的局面目前还无法判断，毕竟市场都在变化，供给和需求也在不断变更中，现在说未来该行业会出现产能过剩的局面还为时尚早。
技术难题
除了NAND未来可能会出现产能过剩的局面之外，目前同方国芯生产存储芯片的技术实力也是该项目的关键环节之一。
北京一位券商分析师对记者表示，目前存储芯片核心技术被国际企业美光、三星电子等几家企业所掌握，国内尚没有企业能大规模生产存储芯片。存储芯片是国家重点发展项目，但生产技术也是核心，未来同方国芯能否获得该领域生产技术也是该项目能否成功的重要因素，由于国内企业在这方面技术较为薄弱，要收购这些国际企业存在的难度不小。
而之前有消息表明，同方国芯的新控股股东紫光集团或将收购美国存储巨头美光科技。
有媒体在今年7月份报道称，同为“清华系”控股的紫光集团拟斥巨资收购美光科技，价格可能达到230亿美元。随后美光发言人在接受媒体采访时否认收到收购提议，并未对相关信息给予置评，清华紫光方面相关负责人在接受媒体采访时表示，一些重大信息以公告为准。
9月份，接近紫光集团的一位人士对媒体透露说，紫光集团想收购美国芯片制造商美光集团，对方企业很积极，但是美国政府不积极，因为美光集团除了做芯片之外还涉及到一些高端技术。
华泰证券猜测，同方国芯如何通过外延获得 NAND Flash 相关专利技术、制造工艺等，成为整个计划的关键，仍将值得期待。
值得注意的是，今年紫光集团孙公司紫光联合拟投资37.75亿美元收购西部数据新发行0.41亿股股份。认购发行完成后，紫光集团将通过紫光联合持有西部数据发行在外的约15%股份，成为其第一大股东。随后，西部数据宣布以约 190 亿美元收购美国纳斯达克上市公司闪迪公司（股票代码：SNDK，以下简称“闪迪”）所有发行在外的股份。
紫光股份表示，此次收购将使西部数据的存储产业链得到进一步的加强，使西部数据成为一个拥有更广泛产品和技术，并在非易失性存储领域尤为专业的全球规模的存储解决方案提供商。
为此记者致电紫光股份，询问西部数据和闪迪是否具有生产存储芯片的技术，以及这些技术是否会归于公司所有，公司一位证券部人士对记者表示，对于这些问题其并不清楚。
