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来源:和讯网发布时间:2013-05-24942浏览
询问 AI台联电 (2303) ( (US-UMC) )今(22)日宣布将于新加坡12吋晶圆厂Fab 12i,打造为引领先进特殊技术研发制造的基地「Center of Excellence」。联电指出,此特殊技术中心设立时的投入金额为1.1亿美元,将会与包括微电子研究院等新加坡本地研究机构进行研发合作,并将已开发之技术,包含背照式影像传感器(BSI CMOS)、嵌入式内存、高压应用产品,以及直通硅晶穿孔连结等,应用于车用、行动、智能型手机与平板计算机等日益庞大的产品市场。另为强化特殊技术的研发,联电预计今年内将于Fab 12i厂增加逾80名工程师。
联电营运长陈文洋表示,很高兴能够进一步拓展联电在新加坡的制造与研发投入。而联电拥有这座专为先进特殊技术研发与制造基地所设计的12吋晶圆厂,将可促进这些技术的及时问世,并让联电充分掌握跨入新市场的契机。
他说明,联电之所以选择新加坡,在于新加坡可提供全力的支持、丰富的工程人力资源、以及完善的半导体产业架构。此外,新加坡健全的半导体产业环境,也将促成联电未来与新加坡本地企业合作的机会。
新加坡经济发展局电子产业司长颜志强则表示,联电为全球顶尖晶圆厂之一,新加坡很荣幸联电选择在新加坡进行特殊技术的研发与制造。而联电持续投资新加坡,反映了对于新加坡研发机构与优质人力深具信心,而在联电开发未来尖端电子产品的同时,新加坡也将持续给予联电支持。
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