传三星14nm AP年底送样,跳过20nm

    SamMobile、Android Community 14日引述南韩媒体DDaily报导，为了和台积电(2330)在晶圆代工领域一较高下，最新消息显示三星电子(Samsung Electronics Co.)可能会跳过20奈米制程技术，直接从当前的28奈米制程一口气转进14奈米FinFET制程，并将技术导入Galaxy S5内建的行动处理器。

    根据报导，三星被市场通称为「Galaxy S5」的次世代旗舰智慧型手机可能会搭载采用14奈米制程技术的64位元行动应用处理器(AP)「Exynos 6 5430」，且这颗处理器将利用安谋(ARM)的低耗电Cortex-A53、高效能Cortex-A57「big.LITTLE」八核心架构，耗电量较三星当前的八核心行动应用处理器「Exynos 5 Octa 5420」减少近半。

    报导指出，Exynos 6 5430据传会在今(2013)年年底开始生产样本、而Galaxy S5将会采用这款最新的行动处理器。

    不过，最近有传言指出，三星由于Galaxy S4销售不振，因此打算提前于明年1月开卖(市场之前传出的开卖时间为明年3月份)Galaxy S5。若传言属实，那么Exynos 6 5430在送样后一个月内就得赶上Galaxy S5的开卖时程，时间可说是非常紧迫，也许S5终究仍会错失使用这款最新处理器的机会。