打造10纳米级制程试产线 南亚科增加约16亿元资本支出

根据存储器大厂南亚科的最新重大讯息公告指出，南亚科董事会于6日决议，将追加新台币65.6亿元（约合人民币15.5亿元）的资本支出预算，用以打造10纳米级制程产线。

此前南亚科董事会决议，在年度资本支出的部分，南亚科2020年度资本支出预算以不超过新台币92亿元为上限，其中包含10纳米级制程研发、试产及20纳米递延等资本支出等。如今再加入新的资本支出预算，预计2020年度的资本支出预算交以不超过157.6亿元为上限。

事实上，南亚科总经理李培瑛在上一季法说会上就已经宣布，南亚科已完成自主研发10纳米级DRAM生产技术，并且将在2020年下半年试产。而南亚科新成功开发出的10纳米级DRAM生产技术，预计将使DRAM产品可持续微缩至少3个世代。而第一代的10纳米级产品包括8GB DDR4、LPDDR4及DDR5将建构在自主制程技术及产品技术平台上，并预计2020下半年进入产品试产阶段。

至于第二代10纳米级制程技术，已开始进入研发阶段，预计2022年前导入试产，之后将会再开发第三代的10纳米制程技术。李培瑛强调，南亚科进入10纳米级制程之后，会以自行研发的技术为主，降低授权费用支出，以大幅提升效能。

目前以全球DRAM存储器市场来说，其主要生产技术掌握在韩国三星、SK海力士、以及美商美光等3家企业的手中，而且3家厂商的合计市场占有率高达95%以上，其关键原因就在于3家企业的技术专利形成了极高的门槛，使其他公司不容易有机会进入市场。

而当前南亚科现在以20纳米级的技术为主力，技术来源为过去的合作伙伴美光，而且每年也支付美光相关技术授权费用。而随着南亚科导入自主的10纳米级制程技术之后，则未来将不再大幅度仰赖美光授权，使得高昂授权费支付的情况也可以减少，有利于南亚科往后的营运发展。