预计2021年量产 传SK海力士将在1anm DRAM中引入EUV技术

在当前因为市场不确定因素增加，以及新冠肺炎疫情恐将影响存储器后续市场发展的情况下，主要存储器厂商皆不轻易扩增产能，反而以优化制程技术的方式来增加其供应的能力。因此，根据韩国媒体报导，存储器大厂SK海力士(SK Hynix)的相关内部人士透露，该公司已开始研发第4代10纳米级制程(1a)的DRAM，内部代号为“南极星”(Canopus)，而且预计将在制程中导入EUV曝光技术。

报导指出，目前SK海力士最先进的DRAM产品主要以10纳米等级的1Y及1Z制程技术为主，这是属于第2代及第3代的10纳米等级制程。该公司计划在2020年下半年将这两种制程技术的生产比重提高到40%。此外，SK海力士还将继续发展新一代的DRAM制程技术。

报导进一步强调，“南极星”(Canopus)将是SK海力士至今的最关键发展计划之一，因为这是该公司首度应用EUV曝光技术来生产DRAM。不过，报导也引用韩国一位消息人士的说法指出，目前SK海力士当下最重要的问题，是公司是能否透过使用EUV曝光技术来确保其产品的有效竞争力。

事实上，之前有媒体报导指出，SK海力士的竞争对手三星已在2020年3月份宣布，已出货了100万个由第4代10纳米等级，内含EUV曝光技术所生产的DDR4 DRAM模组，并预计将在2021年开始正式大量生产，而且，未来该公司接下来的几代的DRAM产品将会全面导入EUV曝光技术，这消息对SK海力士来说将会是充满着竞争性。因此，SK海力士计划旗下的首款第4代10纳米等级DRAM将在2021年推出，这也将使得届时以EUV曝光技术的存储器生产市场竞争将更加激烈。