2021年准备迎接存储器成长周期，各厂商摩拳擦掌

根据外媒报导，随着2021年全球三大存储器厂将陆续大规模量产下一代DDR5 DRAM，预计存储器市场将迎接下一个成长周期，这使得三星、SK海力士、美光等三大存储器公司正在加紧技术开发，以面对市场竞争而抢攻市占率。

根据韩国媒体《BusinessKorea》的报导，全球存储器产业龙头韩国三星电子计划在2021年下半年正式推出DDR5 DRAM。

相较于当前产品DDR4的规格，DDR5 DRAM的传输速率可高达6400Mbps，是DDR4 DRAM 3200Mbps的2倍。另外，DDR5的工作电压为1.1V，这比DDR4的1.2V降低了9%。而且，DDR5的最大容量为64Gb，这部分则是DDR4产品的4倍。

而因为其性能突出，使得DDR5产品价格即便稍高于DDR4，但因为世代交替的市场需求下，仍有空间为存储器厂带来获利，这也是预期全球存储器产业将迎接新成长周期的主因。

报导强调，根据TrendForce集邦咨询预测，DDR5在PC DRAM市场中的市占率，将从2020年的不到1%，成长到2021年的10%，足足是10倍以上的成长。尤其是DDR5产品在服务器DRAM市场中，其市占率也将从2020年的4%，提升到2021年的15%。

因此，在市场快速成长的情况下，全球三大存储器厂都开始准备抢攻商机。

其中，韩国SK海力士已经在2020年的10月6日首次公开发表DDR5 DRAM，而竞争对手三星则是预计自2021年开始量产第4代10纳米级的DDR5和LPDDR5。

至于，美商存储器大厂美光则是在2020年初宣布，已经开始向客户出样最新DDR5存储器，以第3代10纳米级1z纳米制程打造，性能提升85%。

而除了DDR5的DRAM竞争之外，存储器厂商也在NAND Flash快闪存储器的发展上相互角力。

其中，美光在2020年11月宣布，已经开始量产全球首批176层堆叠的NAND Flash快闪存储器。美光指出，新的176层堆叠NAND Flash快闪存储器在读写方面的性能提高了35%以上，而且与同类最佳竞争对手相较，其尺寸更减少了30%。

继美光之后，SK海力士也在2020年12月7日宣布已经完成176层堆叠NAND Flash快闪存储器的开发。SK海力士强调，随着新产品的生产率提高35%以上，则176层堆叠的NAND Flash快闪存储器将能增加其市场价格竞争力。

此外，三星方面则是计划2021年发布第7代V-NAND快闪存储器。理论上，第7代V-NAND快闪存储器最多可以达到256层堆叠的能力。

2020年10月，SK海力士宣布将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务，使得SK海力士在全球NAND Flash快闪存储器市场的市占率有望达到20%以上。

TrendForce表示，截至2020年第3季为止，三星电子以33.1%的市占率在全球NAND Flash快闪存储器市场中排名第一，铠侠则以21.4%位居第2，西部数据的市占率则为14.3%，位居第3，SK海力士和英特尔的市占率则分别为11.3%和7.9%。

报导进一步强调，业界预期，NAND Flash快闪存储器市场的成长将比DRAM市场更快，原因在于智能手机向5G发展，以及资料中心的服务器对SSD的需求所造成，这使得NAND Flash快闪存储器市场到2024前将以每年30%到35%的速度增长，相较于DRAM的年平均成长率为15%到20%而言，NAND Flash快闪存储器市场的成长速度快很多，也使得厂商更加注重NAND Flash快闪存储器市场的发展。