物联网市场FD-SOI制程会取代FinFET吗？

　　全耗尽型绝缘上覆矽（FD-SOI）制程技术正从原本的“迟到”（too-late）位置摇身一变，成为可望在物联网（IoT）与汽车市场取代鳍式场效电晶体（FinFET）的理想替代方案了。对于许多人来说，业界主导厂商代表出席一场相关领域的业界活动，象征着为这项技术背书。

　　“我认为，FD-SOI正蓄势待发。也许还得经过几年的时间，但它终将获得新的动能，并发展成为一项关键技术，”International Business Strategies （IBS）创办人兼执行长Handel Jones指出。

　　相较于FinFET，FD-SOI具备更多优点。虽然FinFET的性能极高，但少了成本效率。FD-SOI基板虽然较昂贵，但制程却较低功耗、bulk性 能更好，也更适用于RF——而这正是IoT的关键。从设计的观点来看，FD-SOI较简单，让工程师在矽后（post-silicon）仍能调整产品。

　　VLSI Research调查选择FD-SOI的主要原因

　　“如果全球最大的公司——英特尔（Intel）在进入真正的14nm时遇到困难，你就会知道这项技术并不简单。”VLSI Research执行长Dan Hutcheson补充说，决定采用FD-SOI制程存在一些商业因素。“最重要的原因在于其设计较简单，上市时程也变得更快了——特别是对于一家规模较 小的组织而言。我知道有许多人反而不喜欢它像是便宜版的FinFET，但它确实如此。”

　　VLSI Research针对半导体业者的FD-SOI发展蓝图展开调查

　　在 日前于美国加州举行的FD-SOI研讨会上，业界大厂也支持Hutchenson的看法。恩智浦（NXP ）详述采用28nm FD-SOI成功打造i.MX 7和其它8款处理器；Sony宣布正出货0.65 Volt GPS晶片；新思（Synopsys）、益华（Cadence）、Ciena和意法半导体 （STMicroelectronics）也陆续发表相关产品或研究成果；三星（Samsung）宣布今年有10款28nm制程的产品投片，而 GlobalFoundries则将投入其于德勒斯登（Dresden）晶圆厂的大部份产能于22nm FD-SOI制程。

　　Soitec 技术长Carlos Mazure说，对于FD-SOI产业来说，三星和GlobalFoundries发表的“有力声明”可说是个好兆头，“它主要在告诉这个领域，现在有两 种代工制程、有竞争、也有市场驱动力，他们正竞相争取无晶圆厂支持…而这对整个生态系统来说是良性的。”