英特尔下代DDR4 DRAM 低功耗高速度

　　在英特尔下一代处理器将支援新世代记忆体DDR4 DRAM下，包括三星、美光及海力士及相关模组厂，近期也相继导入DDR4 DRAM试产行动，业者强调，DDR 4 DRAM因功耗低，运算速度更快，且支援矽钻孔（TSV）3D IC设计，预料明年可望成为伺服器新宠。

　　DRAM业者表示，和DD3 DRAM比较，DDR4未来功耗将远低于1.2伏特，比现在的DDR 3 1.5伏特更低，而资料转换率每秒更达3.2Gb，同时具备16个族群，远比DDR3的资料转换率每秒2.13Gb、8个族群，资料处理速度更快且频宽更宽。

　　不过，主导半导体技术标准的JEDEC，此次对未针对DDR4DRAM提出如DDR3 DRAM般公板设计，导致记忆体模组厂只能依照过去累积的设计能力，投入开发DDR 4 记忆体模组。

　　日前率先在英特尔开发者论坛，领先业界针对企业用户、伺服器平台，展示新世代DDR4记忆体模组的威刚，表示看好DDR4 DRAM未来应用。

　　威刚表示，未来仍会依循英特尔主导的规格进行相关DDR4设计，在JEDEC未制定公板下，将采客制化，依企业用户需求，提供这项更高性能的记忆体储存方案。

　　威刚表示，由于DDR 4尚未处于量产阶段，初期价格预料也会非常昂贵，但因这项新记忆体导入更新的防错设计，也支援TSV 3D IC架构，是未来3D IC必备的新世代记忆体，初期将会切入伺服器等应用领域。

　　据了解，包括三星、美光及SK海力士均已投入试产阶段；国内DRAM大厂华亚科和南科，也预定第4季开始试产。