英特尔为何能当老大：后栅极工艺浅谈

　　半导体制程工艺上，英特尔要是说第二，那没人敢说第一。晶圆制造这个圈子，英特尔毫无疑问处于第一流，其他厂商包括IBM，英飞凌，NEC，意法半导体以及东芝等公司，以及目前半导体代工行业的老大老二老三——台积电、GlobalFoundries、三星，统统都是二流。

　　说这么绝对可能有人不服，小编举最近的一个例子，英特尔仅仅破一次例为美国芯片制造商Altera代工首个四核64位ARM Cortex-A53处理器，就引发了业界一片惊叹。

　　为了让大家一窥 Intel在半导体制造工艺上的牛逼，笔者选取数月前参加Intel新品交流会后，印象深刻的45nm以下HKMG的成型工艺来做探讨。

　　随着晶体管尺寸的不断缩小，HKMG（high-k绝缘层+金属栅极）技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技术。不过在制作HKMG结构晶体管的 工艺方面，业内却存在两大各自固执己见的不同阵营，以IBM为代表的前栅极Gate-first工艺流派和以Intel为代表的后栅极Gate-last工艺流派。更准确点说，在步入HKMG时代之初，只有Intel 和其他所有半导体企业之别。

　　前栅极和后栅极工艺实现HKMG结构，在技术上有什么差别，请看这段引用：

　　Gate-last是用于制作金属栅极结构的一种工艺技术，这种技术的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火工步完成之后再形成金属栅极；与此相对的是Gate-first工艺，这种工艺的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的退火工步完成之前便生成金属栅极。Gate-last工艺的难点则在于工艺较复杂，芯片的管芯密度同等条件下要比Gate-first工艺低，需要设计方积极配合修改电路设计才可以达到与Gate-first工艺相同的管芯密度级别。采用Gate-first工艺制作HKMG的劣势，是用来制作high-k绝缘层和制作金属栅极的材料必须经受漏源极退火工步的高温，会导致PMOS管Vt门限电压的上升，这样会影响了管子的性能。

　　如果对这段不太理解的童鞋，只需要记住一点：后栅极成型HKMG技术制造的芯片，功耗更低、漏电更少，高频（即高性能）运行状态也更稳定；但是生产制造技术复杂、良品率低、初期很难大规模量产；（在没有采用3D晶体管结构前）管芯密度低，对晶圆的利用不够经济；真正实用时，还需要用户层面的配合，即客户厂商根据需求配合修改电路设计。

　　45nm以下必要的HKMG技术中Gate-first/Gate-last成型工艺各有优劣，Intel追求未来的性能增长选择Gate-last，其他厂商则选择整体难度较小、眼下更容易实用的Gate-first，经过几年发展后，情况如何呢？

　　先看Gate-first，下面这段话引用自英特尔中国技术发言人洪力的评价：

　　28纳米去年TSMC（台积电）刚刚用到所谓后栅极工艺，英特尔从45纳米开始用后栅工艺，那是4年以前的事。这个时候功耗就来的小，那个时候我们出来包括IBM那些所有的人出来说英特尔宣布做后栅工艺的时候，不可能达到经济利益上的量产，因为太难做了，英特尔做出来了。为什么后栅很重要，当处理器运算的频率高的时候，你的功耗就会很大，这部分做起来很不容易。所以你会看到去年很长时间都讲到产能不足的问题，现在TSMC有了，三星的28纳米还是前栅工艺的。到22纳米的时候我们其实已经开始做三维晶体管，这是晶体管的一个创新，栅极起来了。那样的分布方式使得它的性能和功耗、密度都会有一个更大的提高，你去看一看TSMC的3D的晶体管是2015年开始量产，可以看到中间差多远，三年半的时间。此28纳米和彼22纳米不是一回事。还有一些厂商说还有14纳米更小的，这跟做逻辑的不是一回事，所以英特尔领先是按代来衡量的，是一代还是两代。