应用材料公司推出全新PVD沉积系统

　　 ● Endurareg; Venturatrade; PVD系统能将高深宽比的硅通孔（TSV）结构用于铜互连技术，并使成本降低多达50％

　　 ● 业界首款用于量产的PVD钛阻挡层解决方案，显着提升TSV可靠性

　　应用材料公司今天宣布推出Endurareg; Venturatrade; PVD 系统。该系统沿袭了应用材料公司在业界领先的PVD技术，并融入了公司最新创新成果，能够完成连续薄的阻挡层和种子层的硅通孔（TSV）沉积，帮助客户以更低廉的成本制造出体积更小、功耗更低、性能更高的集成3D芯片。Ventura系统还与众不同地采用钛作为阻隔材料，从而在量产的情况下很好的实现降低成本的目的，展现了应用材料公司在精密材料工程领域的专业技术。Ventura系统的推出进一步完善了应用材料公司的硅片级封装(WLP)设备产品线，适用于硅通孔、再分布层（RDL）和凸点等各类应用。

　　TSV是垂直制造体积更小、功耗更低的移动和高带宽器件中的关键技术。通孔是垂直穿过硅片的短互联通道，可将器件的有源侧连接到硅片的背面，是多个芯片间连接的最短互连路径。集成3D堆叠器件需要将10：1以上深宽比的TSV进行铜互连。利用创新的材料和先进的沉积技术，全新的Ventura设备可有效解决这一问题，从而较先前的行业解决方案能更显着的降低TSV制造成本。

　　应用材料公司副总裁兼金属沉积产品事业部总经理 Sundar Ramamurthy博士介绍道：“凭借应用材料公司在铜互连技术领域超过15年的领导经验，Ventura 系统能生产出可靠的高深宽比硅通孔，与铜互连PVD系统相比，可使阻挡层和种子层成本降低多达50%。这些创新成果可以帮助我们更显着的提高产品性能和功能，实现功耗更低、更紧凑的芯片封装，从而进一步满足最尖端的技术需求。该款全新的PVD系统已获得客户认可，并将逐步用于大规模生产中。”

　　Ventura系统采用更先进的离子化PVD技术，进一步提高阻挡层和种子层的完整性，这对芯片的孔隙填充和互连尤为重要，从而能够有效提高3D芯片的良率。此外，这些技术上的新突破能够显着改善离子的方向性，可在硅通孔中完成均匀连续的薄的金属层沉积，从而实现TSV所需的无空隙填充。由于方向性的改善，沉积速率得以大幅提高，阻挡层材料和种子层材料的用量显着减少。此外，Ventura系统采用钛作为阻挡层材料，以期提高设备稳定性，降低TSV金属化过程中的整体持有成本。