台积电预计2017年量产10nm 追上英特尔

　　晶圆代工龙头台积电（TSMC）透露该公司将在2017年开始量产10纳米制程，届时将能与英特尔（Intel）并驾齐驱；“我们的10纳米制程性能表现，包括速度、功率与密度，将会与我们认为英特尔为其10纳米技术所定义的规格相当；”台积电企业通讯部门总监Elizabeth Sun表示：“凭藉技术实力，我们认为能在10纳米节点拉近差距。”

　　而台积电首度 表示，今年预期将会有半导体产业界最大规模的资本支出，其目标是巩固其晶圆代工市场领导地位，以对抗英特尔、三星（Samsung）与Global Foundries等竞争者。台积电将 2015年资本支出预算提高至115亿美元至120亿美元，较 2014年成长11.5~20%，主要原因是对市场的先进制程需求深具信心。英特尔的 2014年度资本支出为101亿美元，今年则预期维持在100亿美元左右，增减5亿美元。

　　台积电的Sun表示，随着摩尔定律 （Moore‘s Law）逐渐“失能”，产业界也剩下越来越少厂商能负担先进制程所需的庞大投资：“当你继续微缩晶片，成本就不断上升，越来越少人能够真正负担得起。”她 透露，台积电将在该公司的中科厂（编按：12寸晶圆Fab 15）进行10纳米量产，该厂随后也将量产更先进的制程节点。

　　台积电将于中科晶圆厂（Fab 15）量产10纳米制程

　　根业界消息，台积电的中科晶圆厂在 2018年底将达到9万片晶圆月产能，采用10纳米节点或更先进制程技术；该公司在本月稍早也表示将投资5，000亿台币（159亿美元）扩展中科厂产 能。在1月份的财报发布会上，台积电共同执行长刘德音表示，台积电2015年营收成长率可望比产业估计12%的平均成长率高出“数个百分点”。

　　台积电 2015年第一季营收预期在新台币2，210亿~2，240亿台币之间，较2014年同期成长约50%。台积电中科晶圆厂2014年产值为2，000亿台币，贡献台积电年度总产值约28%的比例。而Sun也透露，台积电的10纳米节点量产将采用浸润式微影设备，至于更先进制 程节点将采用何种微影工具则尚未公布。

　　“我们正在与ASML合作，目标是在未来某个时候如果超紫外光微影（EUV）准备就绪，我们就能将 该技术部分应用于10纳米制程节点；”Sun解释，所谓的部分应用指的是指在少数关键电路层采用，而在10纳米以下制程节点使用EUV微影仍要看该技术是 否准备好量产：“相关工作仍在持续进展。”

　　编译：Judith Cheng

　　（参考原文： TSMC to Start 10nm in 2017， Closing Gap with Intel，by Alan Patterson）