三星半导体：下半年会量产7nm EUV工艺 3nm最早2021年投入量产

在去年5月的Samsung Foundry Forum论坛上，三星宣布采用5／4／3nm工艺技术。根据Tom＇s Hardware今天的新闻，根据三星高管所说，他们今年下半年会量产7nm EUV工艺，2021年则会量产更先进的3nm GAA工艺。

此外，三星还表示，将在今年下半年开始生产7nm的超视距芯片。去年，三星还表示，它将在2020年使用4纳米砷化镓场效应晶体管（gate all around fet）工艺。然而，一些业内人士，包括加纳副总裁王国荣（Samuel Wang）对Gaafet芯片能否在2022年投产表示怀疑。

尽管台积电和格罗方德Global Foundries在EUV芯片开发方面并没有落后，但三星也有自己的优势。三星公司内部开发了自己的EUV掩膜检测工具，但尚未开发出类似的商业工具。