半浮栅晶体管面临生存挑战 政府应出台政策优化产业生态

　　复旦大学研制的新型微电子器件——半浮栅晶体管(SFGT)如果能够尽快实现产业化，将可能给我国芯片生产企业带来很大的变化，至少改变20%到30%的芯片市场；但如果不能产业化，则将使中国企业白白流失一个掌握市场话语权的机会。当相关论文刊登在最新一期《科学》杂志上后，业界专家不约而同地表达了以上观点。

　　成果优秀无关市场话语权

　　“我们关注的不仅是技术的创新，更重要的是希望推动我国集成电路产业的发展。”这是张卫教授的话。半浮栅晶体管(SFGT)原型器件最初是在复旦大学的实验室中研制成功，现在，与标准CMOS工艺兼容的SFGT器件也已在国内生产线上成功制造出来。

　　“这样的成果显然离产业化更近了一步。”上海集成电路研发中心总裁、华虹集团总工程师赵宇航博士称，这一成果最让人关注的，正是它已经走出实验室，走上生产线。

　　尽管如此，SFGT要真正实现产业化，仍有很多的路要走。作为基础核心技术，SFGT必须要有合适的企业开发应用。如果中国企业能抓住这一机遇，很可能就能掌握市场的话语权；反之，就很可能又出现“我们出成果，国外拿技术和专利”的尴尬。

　　这样的事情已有先例可循：目前用于太阳能发电储电设备的一个关键器件COOLMOS（超结金属氧化物半导体场效应晶体管）就是我国中国电子科技大学教授、中科院院士陈星弼在30多年前发明并申请专利的。但这一成果迟迟没有国内企业转化。很快，著名半导体企业德国英飞凌公司通过47次引用，在这一专利的周围形成了一个庞大的外围专利网。如今，我国太阳能企业要想使用这一产品或应用技术，都必须向英飞凌公司购买。不久前，陈星弼院士的专利失效。自始至终，中国企业完全没能把握住这个本来可以属于自己的机会。

　　科学家们不希望SFGT重蹈覆辙。据了解，张卫教授的团队在半浮栅晶体管相关技术上已申请了10多项专利。如果国内企业不及时合作开发和跟进，很可能在论文发表后被国外大公司率先采用，或国外大公司迅速用延伸专利包围我们的核心专利，最终核心成果将不得不公开。因为如果坚持不公开，企业就无法使用，成果便失去了存在的意义；而如果公开，我国企业便要向国外购买他们所拥有的延伸专利，缴纳不菲的专利费。

　　事实上，就在成果发表前一个月，已有一家国际知名集成电路企业的研发人员与张卫教授课题组联系，希望提供资助，并派高级研发人员到张卫团队做访问学者，合作开展集成电路研究。