2014年下半年DDR4、NAND Flash存储器芯片发展趋势

　　DDR4以前瞻性的高传输速率、低功耗与更大记忆容量，在2014年下半将导入英特尔工作站/伺服器以及高阶桌上型电脑平台，并与LP-DDR3记忆体将同时存在一段时间;至于NAND Flash快闪记忆体也跨入1x奈米制程，MLC将以iSLC/eSLC自砍容量一半的方式，提升可抹写次数(Program Erase;P/E)来抢占极端要求耐受度的军方与工控市场，而C/P值高的TLC从随身碟、记忆卡的应用导向低阶SSD…

　　DDR4伺服器先行 2016超越DDR3成为主流

　　处理器(CPU)、绘图晶片(GPU)运算效能随摩尔定律而飞快进展，加上云端运算、网际网路行动化浪潮下，持续驱动动态记忆体(Dynamic RAM;DRAM)的规格进化。从非同步的DIP、EDO DRAM，到迈向同步时脉操作的SDRAM开始，以及讯号上下缘触发的DDR/DDR2/DDR3/DDR4记忆体，甚至导入20奈米与新型态的Wide I/O介面以降低讯号脚位数与整体功耗。

　　处理器速度与云端运算持续驱动动态记忆体规格的演变，从DIP、EDO、SDRAM到DDR/DDR2/DDR3/DDR4。Samsung/Micron/Intel

　　DDR4记忆体将于2014H2优先导入工作站/伺服器以及高阶桌机平台。Intel

　　DDR4较以往不同的是改采VDDQ的终端电阻设计，目前计划中的传输速率进展到3,200Mbps，比目前最高速的DDR3-2133传输速率快了50%，将来不排除直达4,266Mbps;Bank数也大幅增加到16个(x4/x8)或8个(x16/32)，这使得采x8设计的单一DDR4记忆体模组，容量就可达到16GB容量。

　　而DDR4运作电压仅1.2V，比DDR3的1.5V低了至少20%，也比DDR3L的1.35V还低，更比目前x86 Ultrabook/Tablet使用的低功耗LP-DDR3的1.25V还要低，再加上DDR4首次支援深度省电技术(Deep Power Down)，进入休眠模式时无须更新记忆体，或仅直接更新DIMM上的单一记忆体颗粒，减少35%~50%的待机功耗。