台积电与ARM再度携手 10纳米将拚赢英特尔

　　供应链透露，台积电不愿公开对竞争对手置评，但公司对内已喊出16纳米与对手（三星及英特尔）的战争「取得压倒性胜利」。据悉，台积电目前已把目标放在10纳米，希望在二年内超越英特尔。

　　台积电为宣示深耕先进制程决心， 2日与安谋（ARM）共同宣布，双方决定于10纳米FinFET（鳍式场效晶体管）制程再度携手合作，计划明年第4季，完成首颗10纳米FinFET64位元ARM架构处理器设计定案。这也是台积电在20纳米及16纳米与安谋合作后，双方于10 纳米再度紧密合作。

　　台积电与安谋10纳米合作是先期的研究工作，主要为双方在实体设计的矽智财验设法则累积宝贵经验，但从台积电设定明年第4季即完成首颗ARM 64位元架构处理器的设计定案，可以看出台积电正全力加快投入10纳米试产脚步。

　　半导体业人士强调，业界评断技术实力，看的是晶体管效能、芯片金属层连结，以及芯片闸密度，后二者台积电在20纳米就都已超越英特尔，一旦台积电二年内在晶体管效能追平英特尔，台积电等于就超越英特尔，站上全球半导体新霸主地位。