台联电明年将扩大28nm产能 14nm加快进入量产

　　晶圆代工厂台联电2015年将扩大28nm产能，以及加快14nm进入量产阶段。台联电28nm布局于去年底获得重大突破，制程良率冲高至9成后，公司旋即积极展开产能扩充，预计今年中月产能将可达2万片，毛利率达平均水准，下半年28nm占营收比重可望突破一成。联电去年第四季28nm投片量大幅成长，包括联发科、高通等五家客户晶片已进入量产，使其28nm占去年第四季营收比重达5%。

　　另外，台联电亦选择采取跳过20nm直接跨入14nm的发展策略，规划月产能约3千片的14nm产线，预计将于今年第二季进行第2代14nm鳍式场效电晶体 (FinFET)制程试产，若下半年客户产品顺利完成设计定案(tape out)，则明年度将提前进入量产阶段；另外，台联电亦预定10nm将于2016年试产。