国产55nm NOR闪存量产！寿命不低于10万次

日前在兆易创新存储器事业部市场经理薛霆接受了电子创新网的采访，透露了NOR闪存的最新进展及未来发展情况。

薛霆表示，“兆易创新的Flash目前全部产品线都已经过渡到55nm新工艺，我们已经推出了一系列从最小容量512Kbit到最大容量2Gbit的全系列的SPI NOR Flash。我们是全球第一家把SPI NAND Flash推向世界而且量产的公司。”

薛霆提到，兆易创新“3年前就开始推动55nm工艺研发，经过3千片以上wafer的磨合，把55nm做到了可以大规模量产。

目前兆易创新55nm的产品第一，工艺上更先进，每一颗的体积更小，功耗上也比65nm降低了30%左右。从功耗到面积都带来了更多的节省，给客户也带来了更有性价比的产品。

NOR闪存除了PC、笔记本、服务器要用之外，5G基站、路由、汽车、机顶盒、TWS无线耳机等产品也要用，这些市场对闪存的可靠性要求极高。

薛霆提到，比如5G基站中，往往需要至少10万次擦写，20年的数据保证时间，这些也正好是兆易创新擅长的。

去年7月份，兆易创新宣布推出国内首款容量高达2Gb、高性能SPI NOR Flash——GD25/GD55 B/T/X系列产品，该系列可提供512Mb至2Gb的不同容量选择，支持高速4通道以及兼容JEDEC xSPI和Xccela规格的高速8通道，主要面向需要大容量存储、高可靠性与超高速数据吞吐量的工业、车载、AI以及5G等相关应用领域。