芯片业“黑马”诞生！台积电“落后一步”，芯片业或迎来洗牌！

全球科技的发展已经步入到了“快车道”，不管是通讯、AI、还是物联网，都在加速布局，行业虽然不同，但都需要“芯片”作为驱动。在芯片领域，芯片企业比比皆是，像AMD、高通、苹果、华为、联发科等，但这些企业只是设计企业，需要芯片代工企业来将PPT加工为成品，而台积电、三星则是芯片代工领域中的翘楚，其代工水平领先于业内其他企业两代左右。

台积电大哥地位难以动摇？

虽然台积电和三星都能完成对7nm、5nm工艺高端芯片的代工业务，但是在产能和代工工艺方面却有一定的差距，骁龙888“易发热”的问题，一方面归于高通对芯片的设计太过激进，采用了A78架构，功耗确实很难被压住。另一方面业内人士也表示，三星的代工工艺也是影响骁龙888易发热的重要因素，同样为5nm制程芯片，台积电代工的A14和麒麟9000却没有出现这种问题，这也奠定了台积电在代工领域“霸主般”的地位。

然而，代工领域的市场份额往往是此消彼长，老大吃肉，老二就得喝汤，作为国际芯片巨头，又是韩国最大的跨国集团，三星自然不甘永做第二，为摘得芯片“代工第一”的桂冠，三星2020年公布了自己的“2030计划”，旨在2030年超越台积电，在功能芯片领域取得第一的成绩（存储芯片领域三星已稳居第一）。为此，三星开始加大对ASML光刻机的采购，从而提高在功能芯片的产能，同时也带动代工工艺水平的提升。

3nm芯片诞生

近日，三星传来了好消息，在IEEEISSCC大会上，三星展示出了自己代工的3nm制程芯片，这虽然是一颗32MB容量的存储芯片，但这却是三星向更先进制程迈出的一大步。台积电此前也传出了在3nm芯片方面的突破，但与三星相比，台积电还是落后了一步，这同时也意味着三星已经开始“超车”！

3nm制程芯片的诞生，不少网友会产生这样的质疑，待3nm芯片进入量产阶段，三星VS台积电，究竟谁会笑到最后呢？

三星VS台积电

在传统7nm、5nmEUV领域，三星、台积电采用的是FinFET技术，但想要继续微缩制程工艺，必须要对芯片的制造技术进行改良。据此前消息称，台积电3nm芯片将继续沿用FinFET技术，而此次三星3nm芯片的推出，采用的是MBCFET（环绕栅极场效应晶体管）技术，这是GAAFET技术的一种。根据三星官方表示，这种技术与上一代技术相比，晶体管的密度可提升80%，性能提升30%，效能提升30%，功耗降低50%，与此同时，三星的MBCFET芯片采用了多种省电技术，写入电压仅仅为0.23V。

而台积电的3nm制程芯片采用的是FinFET技术，与5nm芯片相比，晶体管密度可提升70%，效能提升11%，功耗降低27%。通过效能，功耗的数据不难发现，三星确实占据了巨大的优势。当3nm制程芯片进入商用阶段，三星确实可以完美解决5nm阶段出现的问题，不得不说三星确实是芯片领域中的一匹黑马，而与此同时，台积电也将面临着巨大的“潜在威胁”！

台积电市值虽然非常高，但台积电业务比较单一，一旦在3nm阶段落后，其代工霸主的地位将很容易受到影响，而三星虽然处处碰壁，但三星业务众多，容错率、机会也更多，可以通过资金方面的优势弥补技术方面的缺陷。但当三星在技术方面处于优势，芯片行业真的有可能迎来一次大洗牌。