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美国政府即将为半导体产业推出制造和研究奖励措施和补贴，摩根大通(小摩)预估计画规模上看370亿美元，预定下半年开始实施，届时IDM厂、设备厂，以及在美设厂的台积电、恩智浦半导体皆有望受惠。
在全球芯片短缺的情况下，美国国会今年初在2021 财政年度的《国防授权法案》中纳入一系列针对半导体的计划和奖励措施，旨在加强美国半导体制造和研发(R&D) 能力，该法案于今年1 月通过立法，但尚未拨款。
小摩的芯片分析师Harlan Sur周一(15日)表示，这些计画资金可能会包含在美国总统拜登未来的基础建设法案中，基建法案是继1.9兆美元刺激政策后，拜登政府施政优先目标之一。Sur预估，美国基础设施法案将在今年上半年通过，下半年半导体的计划将开始拨款。
Sur预计整体半导体刺激和补贴规模可能在350亿至370亿美元之间，其中美国国内IC制造端大约为180亿至200亿美元，IC设计端大约为150亿至170亿美元。
Sur 表示，依据《国防授权法案》的内容，预估未来分发资金和刺激措施时，美国的整合元件制造厂将会是优先奖励业者。
根据Sur，这些美国整合元件制造商(IDM)包含英特尔、美光( MU-US)、德仪、亚德诺半导体以及安森美半导体 。
Sur并表示，符合美国国防相关资格的公司也属奖励范围，而在美国设厂的台积电与恩智浦半导体也有望雨露均沾，尽管受惠程度较小。
而半导体设备商诸如应用材料和科林，也将受益于销售量增加。
费城半导体指数(SOX)周一上涨2.26%，以上周五纳入标普500指数的恩智浦半导体涨势最为亮眼，上涨8.96%，上调至标普100指数的博通也有4.34%的涨幅。
