芯片巨头亮出3nm技术，投资1100亿赴美建厂，与台积电针锋相对

如今，台积电、三星均已实现5nm芯片量产，并紧锣密鼓地投入3nm研发之中。按照计划，二者均将在2022年实现3nm量产。

三星一直想要超越台积电，奈何在7nm、5nm工艺节点上都落后台积电一步。眼看摩尔定律即将走到极限，3nm节点是三星为数不多的机会。

因此，三星对3nm工艺十分重视。为此，三星放弃了时下主流的FinFET技术，转而向纳米片晶体管过渡。

三星亮出3nm技术

在日前举行的IEEE国际固态电路会议上，三星亮出在3nmGAEMBCEFET芯片制造上的新细节。

据三星表示，纳米片结构的晶体管将会是成功的设计，可以带来“高速度、低能耗与小面积”。

据悉，三星3nm所采用的GAE工艺节点，可以将性能、晶体管密度分别提高30%、80%；同时，这还能将功耗降低50%。

可以看出，三星GAE工艺十分亮眼，一旦成功，有助于三星实现对台积电的反超。

不过，台积电也并不甘落后。据悉，在今年下半年时，台积电3nm将进行市场。这给三星带来了巨大的挑战。

投资1100亿赴美建厂

三星与台积电之间的竞争，不只体现在工艺节点上，在赴美建厂上也是如此。

据悉，三星将斥资170亿美元，约合人民币1100亿元，在美国建设一家晶圆代工厂。

有消息称，该工厂将量产3nm芯片，预计在2030年投入使用。

三星此举，有利于加深与高通、英特尔等美国客户之前的联系，拿下更多的订单。

同时，这还是三星10年计划中的一部分，该计划的目标便是超越台积电。

早在三星之前，台积电便已经公布赴美建厂的计划。在美国亚利桑那州，台积电将建设一座5nm代工厂。

由此可以看出，三星与台积电之间的竞争颇为激烈，已经进入了白热化。

三星、台积电针锋相对

其实，三星与台积电之间的晶圆代工一哥之争，已有十余年之久。

如今，三星已经极大地缩减了与台积电之间进度差距，并在2020年末，凭借着306万片8英寸晶圆产能，成为全球最大的晶圆厂。

不过，二者在3nm上的巅峰对决大幕，才刚刚拉开。面对台积电强大的技术领先优势，三星显然还不能高兴的太早。

毕竟，台积电已经启动了2nm工艺的研究，进展十分迅速。这让三星感到不小的压力。

在这场竞争中，三星与台积电谁能笑到最后，就让我们拭目以待。

文/BU审核/子扬校正/知秋