为什么5nm芯片集体翻车，这锅真要由台积电、三星来背！

众所周知，自从高通骁龙888芯片推出之后，有关于5nm芯片翻车的说法就越来越多。而经过一些机构的实测，其实不只是骁龙888，包括麒麟9000、苹果A14，其实都存在翻车问题。

表现就是性能提升不明显，但功耗增长很高，同时发热量也较大，造成5nm工艺，较之7nm工艺，并没有预期中的提升。

那么为何5nm芯片会集体翻车？其实是与老迈的鳍式场效应晶体管（FinFET）技术有关的。这也是为什么英特尔表示5nm、三星则表示3nm时，要换成环绕栅极晶体管（GAAFET）技术的原因。

我们知道芯片全部是由晶体管组成，比如华为麒麟9000表示有153亿晶体管，而所谓的芯片工艺，则是指CMOS晶体管的沟道长度。

而工艺提升，都是以缩短这个沟道长度为目标的，越先进的工艺，沟道长度越短。这就会导致短沟道效应，造成漏电现象。

芯片的功能分为两部分，一部分是各逻辑单元运算产生的功耗，叫做动态功能，而漏电现象在晶体管中，也称之为静态功耗。静态功耗其实在先进工艺芯片（14nm及以下工艺）中，占总功耗的50%以上。

并且越是先进的工艺，由于沟道长度越短，那么漏电现象越严重，不管是英特尔，还是三星、台积电，其实都无法解决这个问题。

而研究表明，GAAFET技术，也就是环绕栅极晶体管的表现会比鳍式场效应晶体管（FinFET）更好，因为GAAFET的阈值电压低很多。

本来到5nm时，应该要抛弃掉FinFET晶体管，转向GAAFET的，这样静态功耗会低很多，但台积电、三星为了稳妥，不敢贸然更换技术，然后导致5nm芯片翻车了。

到3nm时，三星会换用GAAFET，而台积电据称还会死守FinFET，到时候会迎来什么样的光景，还无法预料。