300亿美元！三星将半导体行业提升到新级别

在2017年之前,全行业的资本支出总额不超过700亿美元,2017年三星狂赌存储器,其半导体支出飙升到242亿美元,带动存储器厂商掀起又一轮投资狂潮,最终带动全球半导体支出在2017年创出956亿美元新高,比2016年多出278亿美元,半导体设备厂商赚到盆满钵满。

文︱墨均

1月4日,据中国台湾媒体报道,台积电将2021年资本支出上调至200亿美元以上——可能会达到220亿美元。而1月9日,据日经亚洲评论报道,三星电子2021年将在半导体业务投资300亿美元以上。如果计划最终实现,那将是台积电资本支出首次超过200亿美元,也是三星电子在半导体上首次投资超过300亿美元,标志着半导体行业领先者的金元轰炸提升到一个新级别。

300亿美元是什么概念?进入二十一世纪以来,有两年全行业资本支出不到300亿美元,分别是2002年和2009年,2003年全行业支出也仅有313亿美元。也许你会说这些数据都太久远,但实际上,在2017年之前,全行业的资本支出总额不超过700亿美元,2017年三星狂赌存储器,其半导体支出飙升到242亿美元,带动存储器厂商掀起又一轮投资狂潮,最终带动全球半导体支出在2017年创出956亿美元新高,比2016年多出278亿美元,半导体设备厂商赚到盆满钵满。

另一组数据也很有意思。2017年至2019年中国所有半导体厂商资本支出为308亿美元,2019年中国境内半导体公司(含外资公司)生产的芯片总值为227亿美元。也就是说,三星一年投入顶中国厂商三年投入总和,中国一年所有产出的芯片销售额加起来不够三星一年的资本支出。而大基金二期总金额为290亿美元,也不到300亿美元。

三星和台积电的疯狂投入,还有可能让他们拉开与英特尔在制造工艺上的差距。先看三家2019年的资本支出。三星最高,达到192亿美元,英特尔次之,资本支出为162亿美元,台积电第三,也有149亿美元。2020年三星在半导体上花了265亿美元,台积电也花了170亿,英特尔的数据还没有出来,但前三个季度都比2019年同比下降,三个季度总支出为103．92亿美元,不出意外的话,2020年全年资本支出应该在150亿美元之内。

2017年之前,这三家在半导体支出上大体接近,2017年三星开始冲刺,但三星投入中包含大量存储器设备投入,单纯逻辑工艺投入上,三星和台积电并没有领先英特尔多少。但这两年来,英特尔工艺开发遇到难题,时不时传出英特尔要加大生产外包的消息,如果真的加大外包比例,预示着至少2021年,英特尔资本支出可能会在150亿美元以下,从而第一次被台积电资本支出拉开50亿美元以上。

这对英特尔而言是非常危险的信号,先进工艺的竞争一直是淘汰赛,一旦投入跟不上就要被市场淘汰。130纳米工艺节点全球有近30个玩家,到28纳米时仅剩10个玩家,其余厂商因为跟不上如此高强度的投资节奏而放弃先进工艺研究,伴随格芯(GlobalFoundries)和联电(UMC)宣布放弃先进工艺研发,现在愿意在先进工艺上做投入的只有四个厂商,即台积电、三星、英特尔和中芯国际。

目前来看,主要以IDM模式为主的英特尔,在先进工艺投入上已经遇到困难。台积电和中芯国际是纯代工模式,成本可以向多家客户摊销,三星除了有庞大的存储器产线,其代工规模也仅次于台积电。英特尔目前只能自己承担先进工艺研发,如今量产遇阻,无米下锅,前期投入不能收回,也不敢加大投入只去扩充10纳米产能,这就异常窘迫,不投入就可能被拉开差距,但这么高昂的投入始终见不到效果,就算英特尔也吃不消。

从英特尔2020年的资本支出来看,将来找台积电或者三星进行大规模外包并非不可能——当然英特尔还会保留相当程度的自产比例,比如超过50%,一旦自产比例过低,那么英特尔将难以维持在先进工艺上的投入,最终在先进工艺上只有走向无晶圆这条路。

先进工艺,终将成为少数人的游戏。