联电被罚，下一家是谁？

 

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美国内存大厂美光控告联电与员工窃取营业秘密案，台中地院一审除了判涉案三人罚金与有期徒刑外，联电也遭罚1亿元。

在这场美中贸易战局中，美方提出的诉讼显然意在吓阻中国大陆自主研发DRAM，中方自然也给予反击，联电夹在两强之间，要顺利脱身并不容易。

中国大陆近几年来积极投资半导体产业，意在提升技术自主及产能自给，除了建立晶圆代工厂之外，亦针对DRAM及NAND Flash扩大投资。其中，联电及大陆合作的DRAM厂晋华已被美国下了封杀令，合肥长鑫则宣称获得之前德国DRAM厂奇梦达技术并开始量产，兆易创新亦宣布与Rambus达成技转并加速DRAM研发。

不过，随着美中贸易战愈打愈火热，晋华一案也让联电被扯进侵权的风暴当中。台湾地检署起诉美光离职员工窃密的刑事起诉是在台湾，美光亦选择美国提起民事求偿。其中，检察官针对联电「未尽力防止」窃密罪起诉，台中地院一审宣判有罪。

实际上，对联电来说，DRAM技术研发虽然中断了十几年，但所有研发及会议都有留下纪录，还有自行研发过程中所产生的专利。联电与晋华合作的DRAM研发已停止，而且并未进入生产阶段，所以美光真要告联电侵权也不是件容易的事。

至于对美光而言，阻止联电的DRAM研发只是第一步，业界普遍认为，美光接下来的可能提起侵权的诉讼对象，应该就是合肥长鑫及兆易创新这两家公司。

业界人士指出，由于美光的DRAM位记忆胞结构是全球独家的结构，与韩系两大厂的设计完全不一样，与奇梦达的DRAM结构也不相同。所以，若大陆两家业者做出来的DRAM结构与美光雷同，就会有侵权的疑虑，这才是后续应该观察的重点。

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