东芯半导体：存储厂商怎样做国产替代！

把“国产替代”这一命题抛给本土存储厂商，应当如何作答？自成立以来便坚持自主设计的东芯半导体，已在此问题下积累了6年的实践与经验。

11月12日，在由TrendForce集邦咨询主办的MTS 2021存储产业趋势峰会上，东芯半导体副总经理陈磊围绕“国产替代”，带来题为《自主创“芯”，赋能国产替代》的演讲。

东芯半导体副总经理 陈磊

自主创“芯”之路

东芯半导体是Fabless模式的存储芯片企业，专注于中小容量存储芯片。陈磊介绍，东芯半导体自成立之初，就定下了自主设计这条路线。“东芯半导体致力于提升中国在存储行业的设计研发能力，所有产品都基于自主知识产权。”

目前，公司已经形成了“内置8比特ECC技术”、“内置高速SPI接口技术”、“提高擦除可靠性技术”等多项核心技术和知识产权，打造了具有低功耗、高可靠性等特点的多系列存储芯片产品，广泛应用于5G通讯、功能手机、光猫、数字机顶盒、MIFI、智能手表等终端产品。

“我们是国内目前非常少有的同时具备NORFlash、NANDFlash、DRAM，以及MCP产品设计能力的公司，不仅可以为客户提供标准型的Flash产品，还可以提供特殊封装等定制化产品。”

陈磊认为，自主设计是最难走的一条路，不仅要进行设计，还要找到很好的合作伙伴，公司在设计的时候也会充分考量客户应用情况。“内置ECC的技术以及设计的时候采取部件擦除的方式，都是为了客户的应用考虑。”

放眼国内的半导体产业，IDM销售份额不足1%，Fabless销售份额较大。在陈磊看来，我国的Fabless存在竞争力，自主研发已渐入佳境。

存储厂商怎样做国产替代？

本土存储厂商怎样做国产替代？演讲最后，陈磊结合东芯半导体的6年发展历程分享了以下四点体会。

第一要借助国家政策的支持。除了大基金的资金投入，政府的政策性的投入也非常重要。陈磊看到，政策风向变化下，国内客户开始欢迎国产器件。

第二个是要坚持自主研发，提升核心技术。“核心技术是买不来的。”不管是做海外并购，还是直接从海外购买IP，都永远无法买到人才“脑子里的东西”。

第三点是产业链的协同。存储永远是一个波动性极强的产业，往山顶上爬的时候，需要产业链的支持；往下走的时候，也需要产业链的有力支持，不至于损失过重。

第四点，东芯半导体始终坚持国产替代的初心，希望为国产替代出一份贡献。

在产业链协同方面，陈磊着重进行补充。东芯半导体在晶圆代工领域和合作伙伴主要有中芯国际和台湾力晶。在封装测试领域，公司搭建了国内和海外两个渠道。

目前，公司已经借助中芯国际成功量产了38纳米的NAND，今年会在Q4量产24纳米的NAND，公司也已开始和中芯国际配合开发19纳米的芯片。东芯半导体还和台湾力积电合作量产了48纳米的NANDFlash，包括128兆和256兆的产品。同时，公司基于力积电最先进的28纳米的制程，设计完成了从512Mb的NAND到1024Mb的NAND。

陈磊在演讲最后强调，东芯半导体在给客户提供全国产化的器件的同时，也在积极布局全球产业链，使产品的供应链更加完整、平衡。

图片来源：Dosilicon /TrendForce集邦咨询

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