据报道，国内已开始量产自主研发的浸没式深紫外（DUV）光刻设备，这一消息导致韩国三星电子和SK海力士的股价出现下跌。韩国业界分析指出，中国掌握浸没式DUV光刻设备的量产能力，将有助于其成熟制程及部分先进制程的发展。然而，要在高带宽存储器（HBM）领域动摇三星和SK海力士的竞争优势，仍需在设备性能、良率以及先进封装等方面跨越诸多技术门槛。
据外媒报道，具有上海国资背景的爱晟纳电子科技集团正在主导浸没式DUV光刻设备的量产工作，并整合了国内多个光刻设备研发团队。首批设备预计将于2026年交付给中芯国际、华虹半导体以及长鑫存储等晶圆厂。需要注意的是，该消息与上海微电子（SMEE）此前开发的28纳米级SSA800设备项目有所不同。目前，外界尚无法确认新设备的实际产能、套刻精度、良率表现以及关键零部件的国产化比例，因此还不能直接认定中国已具备与荷兰ASML同等水平的商业化量产能力。根据ASML的公开数据，其NXT:1980Fi浸没式DUV光刻设备每小时可处理330片晶圆，机台间的套刻精度达到2.5纳米。中国新设备能否在长时间运行中保持类似的产能和稳定性，仍需等待晶圆厂的实际验证。
在半导体制造中，DUV光刻设备不仅广泛应用于汽车芯片、电源管理芯片（PMIC）和微控制器等成熟制程，在先进逻辑和DRAM产线中，除了部分关键光刻层使用极紫外（EUV）光刻设备外，大量制程依然依赖ArF浸没式、ArF干法及KrF等DUV光刻设备。随着DRAM特征尺寸的微缩，三星和SK海力士不断增加EUV光刻层的使用，以降低DUV多重图案化的复杂性并提升良率。SK海力士在1a DRAM量产阶段就已引入EUV技术，这表明先进存储器的竞争并非仅靠单一DUV光刻设备就能取得突破。HBM的制造不仅需要先进的DRAM制程，还涉及硅通孔（TSV）、裸晶堆叠、键合、散热、测试及长期可靠性等复杂工艺。短期内，国产DUV光刻设备更可能用于提升通用DRAM及成熟制程的产能，尚不足以直接追赶三星和SK海力士在HBM领域的量产水平。
此外，美国国会正在推进MATCH法案，计划要求盟国加强对半导体设备的出口管制，管制范围包括浸没式DUV光刻设备，并对受限晶圆厂的设备安装、维修、校准及软件更新设定许可要求。不过，该法案目前仅通过了众议院外交委员会的审议，尚未正式成为法律。
