目前，半导体行业的先进产能正大幅向人工智能高端存储领域集中。例如，SK海力士面临高带宽内存（HBM）产能不足的问题，而三星的HBM4产能也已被预订至2026年。这种产能倾斜使得汽车电子、个人电脑以及智能手机等领域所需的常规内存出现严重短缺，全球市场供需失衡加剧。
为了应对上述市场缺口并优化供应链，三星电子决定在越南太原省投资建设其在该国的首个芯片测试工厂。据悉，该项目已在今年3月获得批准并启动施工，预计将于2027年11月正式投入运营。此次新建工厂的初始投资额高达15亿美元（约101.98亿元人民币）。
在产能规划方面，这座新工厂预计每年可产出2556亿Gb NAND闪存以及1533亿Gb DRAM。此外，这并非短期的应急之举，而是长期的战略布局。三星电子打算利用该项目产生的收益继续扩大生产规模，未来追加投资的最高额度可达25亿美元（约169.97亿元人民币），用于建设第二座工厂。凭借在当地超过230亿美元（约1563.69亿元人民币）的累计投资经验，三星能够充分利用越南完善的基础设施和人力资源，从而有效降低运营成本并实现产能的快速落地。
注：按1美元≈6.80人民币计算
