据韩媒《首尔经济》报道，在竞争对手三星电子劳资薪资谈判尚未完全落定之时，SK海力士于2026年5月26日正式发布了名为“iHBM”的新一代技术。该方案旨在攻克人工智能半导体面临的散热瓶颈，从而进一步巩固其市场领先优势。
在技术原理方面，传统的高带宽内存（HBM）主要依靠核心裸片将运行热量传导至外部，属于间接散热方式。而iHBM技术实现了结构上的创新，其在基础裸片上方划分出特定的晶粒间物理层区域，并植入具备高导热率的硅材质一体化冷却元件（ICE）。这一设计使得热阻相比现有HBM产品下降了30%以上。虽然这与三星曾在移动应用处理器中采用的散热路径模块（HPB）原理相似，但HPB需要占用部分逻辑电路面积并增大基础裸片尺寸，而iHBM则有效避免了这一问题。
在量产与兼容性上，SK海力士表示该技术沿用了其成熟的MR-MUF先进封装工艺，能够在改变集成电路结构的同时保障量产的稳定性，并计划从第五代高带宽内存（HBM5）开始全面应用。此外，iHBM与现有的系统级封装环境完全兼容，英伟达等主要客户无需对现有设计进行大幅调整即可直接导入，有效降低了时间和资金成本。SK海力士封装开发副社长李康旭表示，这是结合其内存设计与先进封装实力的优化散热方案。
另一方面，韩国业界指出，三星电子正因工会诉求陷入内部消耗。尽管双方在韩国相关部门调解下于5月20日达成初步共识，但此前4月的决议大会已导致部分产能受损。同时，三星内部不同部门的绩效奖金差异引发员工讨论，例如设备解决方案（DS）部门内部最高奖金差额达4亿韩元（约人民币180.64万元，即27.1万美元/约人民币184.60万元），而设备体验（DX）部门的特别奖金仅为内存部门的百分之一，后续内部矛盾的发展仍受外界关注。
注：按1韩元≈0.004516人民币、1美元≈6.8119人民币计算。
