据韩媒iNews24报道,三星电子在近期的投资者会议上表示,为了满足2027年高带宽内存的市场需求,计划将平泽4厂洁净室的大部分区域用于新一代HBM的生产。
此举意味着P4工厂将被打造为人工智能存储芯片的核心制造基地。业内分析指出,将大部分产能倾斜至HBM,势必会挤压常规DRAM的生产空间,从而可能加剧未来常规DRAM的供应紧张局面。
针对未来的市场走势,三星预测存储芯片的供应短缺现象在2026年仍将继续,而到了2027年,供需失衡的状况将进一步恶化。受常规DRAM价格上涨的带动,预计2027年下半年DRAM的涨价趋势将更加明显,同时2027年HBM的价格也有望实现两位数增长,三星有望在新一代HBM市场占据主导供应地位。
在保障稳定盈利方面,三星对长期供应协议充满信心。该公司透露,当前正与各大客户协商长期合同,且合同的基础价格相比以往有显著提高。目前部分合同已经签署完毕,且大多数客户均主动提出签订长期协议的意愿。
关于HBM产品的市场竞争力,三星预计从2026年第三季度开始,HBM4的市场份额将迅速扩张。此外,公司继续坚持既定目标,即让HBM4在整体HBM业务收入中的占比达到50%。