三星研发900层3D闪存原型，两片450层叠一起来源:万德丰发布时间:2026-05-26656浏览询问 AI据韩国媒体最新消息透露，三星电子日前成功打造出业界首款900层超高堆叠三维闪存原型机。这项成果主要依托单元多层键合（CMB）工艺，将两块450层的闪存芯片物理连接而成。目前，这款样品的存储单元运行性能已经通过了相关测试与验证。把两个450层的三维闪存结构合并成900层的超高堆叠结构，给键合工艺的可靠性带来了极大的挑战。在制作该原型产品时，三星电子引入了“上部卡盘”（Upper Chuck）装置来应对晶圆翘曲现象。同时，借助全新的套刻校正手段，有效消除了微小的对准偏差。另外，通过对字线（WL）和位线（BL）进行优化，不仅缩小了芯片尺寸，还降低了整体功耗。▲ 三星电子 V9 QLC新闻来源：万德丰，文中所述为作者独立观点，不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj。
