新型NAND闪存问世:抗辐射能力提升30倍来源:陈超月发布时间:2026-05-23756浏览询问 AI据报道,美国佐治亚理工学院的研究团队开发出一款新型NAND闪存,该产品不仅具备高效处理人工智能任务的能力,还能够在太空极端辐射环境中稳定运行,其抗辐射性能是传统NAND闪存的30倍。新型闪存采用了氧化铪材料的铁电特性,这种材料与硅工艺兼容,能够在一定温度范围内自发极化,且极化方向可通过外部电场翻转。这一特性使其在信息存储、传感技术、人工智能以及低功耗芯片领域具有重要的应用潜力。实验数据表明,这款铁电闪存可承受高达100万拉德的辐射剂量,相当于经受1亿次X射线照射,其抗辐射能力远超传统存储器。这一突破为未来太空探索和高辐射环境下的电子设备提供了可靠的技术支持。新闻来源:陈超月,文中所述为作者独立观点,不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议,请联系微信客服specltkj。