三星电子近日在西安工厂正式启动第九代V-NAND产线的升级改造工程，同时推进厂区洁净室的配套建设。据公开信息显示，该工厂在今年3月底刚刚完成了第八代V-NAND（236层）的量产，此前已逐步完成从128层第六代产品的产能过渡，目前第六代产品产能正逐步缩减。
根据规划，三星将在2025年对西安工厂投资约3.04亿美元，同比增长67.5%。年内将完成286层第九代V9产线的投资布局，预计V9产线将于2027年正式投产。届时，V8和V9两代产线将并行生产，进一步提升存储芯片的供货能力。
西安工厂是三星全球NAND闪存生产的核心基地，其产能占三星全球总规模的40%。据数据显示，2025年该工厂预计实现营收8.64万亿韩元，净利润1.11万亿韩元。
核心参数汇总
| 项目 | 详情 |
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| 迭代产品 | 第八代V8、第九代V9 |
| 堆叠层数 | V8为236层，V9达286层 |
| 产线启用 | 预计2027年正式投产 |
| 全球产能占比 | 40% |
