南亚科近日召开股东会，总经理李培瑛表示，存储器市场供需紧张的状况至少将持续到2027年底，甚至可能延续至2028年。受AI需求推动，DRAM市场正经历结构性变化，高端存储器需求快速增长。目前，许多客户为确保供货稳定，主动要求签署3年或以上的长期合约。
南亚科董事长邹明仁透露，公司正积极推动新厂建设与资本支出计划。预计2026年资本支出将超过520亿元新台币，新厂预计于2027年第一季度开始装机，并在下半年逐步进入量产。这一扩产计划将有助于缓解市场供需压力，预计2~3年后产能将比目前增加80~100%。
在技术发展方面，南亚科的10纳米级第二代制程（1B）已实现16Gb DDR5、8Gb DDR4与4Gb DDR4产品的量产，并计划推出更多LPDDR5和DDR4产品。同时，10纳米级第三代（1C）和第四代（1D）制程技术也在加速开发中，预计分别于2026年下半年和2026年第二季度完成验证与试产。
据李培瑛介绍，定制化超高带宽存储器（HBM）已开始贡献营收，预计2027年将实现显著增长。该技术采用Wafer-to-Wafer Bonding工艺，带宽高于JEDEC标准，未来有望成为重要发展方向。此外，LPDDR4市场需求旺盛，DDR5销售占比约为10%，未来将根据客户需求灵活调整产品布局。
南亚科2025年合并营收达665.9亿元新台币，同比增长95%，税后净利润为66.1亿元新台币。公司表示，取得的787亿元新台币私募资金将用于先进存储器制造设备投资，并强化与云端AI客户的合作关系。
