据韩媒Digital Times、M Today等援引业界消息，美国存储器巨头美光（Micron）近期以首尔为办公地点，积极招募韩国高带宽存储器（HBM）设计领域的核心人才。这一举动引发了业界对三星电子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK Hynix）等韩国存储器龙头企业可能面临人才流失的担忧。
此次美光发布的职位包括“Staff HBM设计架构师”和“Principal HBM设计架构师”。这些岗位的主要职责涵盖次世代HBM产品的数字与模拟DRAM电路设计、高速DRAM及混合信号电路的功耗、面积与速度优化，同时涉及未来HBM产品的架构研究与功能验证。此外，美光明确表示，这些岗位的核心目标是开发针对人工智能（AI）、机器学习（ML）及高性能计算（HPC）的次世代HBM解决方案。
美光还透露，招募人员将参与硅穿孔（TSV）3D堆叠架构、功耗优化及高速接口开发等关键技术的研发。从应征条件来看，Staff级别要求电机电子工程等相关领域的学士及以上学历，并具备3年以上半导体设计经验；Principal级别则要求学士学历7年以上或硕士学历5年以上的电路设计资历。
薪资方面，据业界消息，Staff级别的年薪约为1亿~1.5亿韩元（约合6.6万~10万美元），Principal级别含绩效奖励在内最高可达约3亿韩元，此外还有绩效奖金与股票报酬等福利。
目前，全球HBM市场超过70%的份额由三星与SK海力士占据，韩国在HBM设计与量产经验方面拥有高度集中的人才库。美光此次以首尔为办公地点的招募策略，对韩国半导体人才具有较大吸引力，意味着他们无需移居海外即可加入全球存储器企业的HBM开发团队。业界分析认为，这可能降低三星与SK海力士工程师的跳槽门槛。
值得注意的是，美光此次人才争夺的时机正值三星因绩效奖金制度与待遇问题陷入劳资纠纷之际。业界担忧，若员工对薪资体系的不满持续扩大，HBM、DRAM及制程设计等核心人才可能流向竞争对手。
