据日经新闻（Nikkei）报道，日本新创公司Patentix宣布成功开发出一种兼容6寸晶圆的镀膜系统（Deposition System），并利用该系统将金红石型二氧化锗（r-GeO2）薄膜沉积在6寸硅基板上。这种材料被认为是下一代功率半导体的关键材料，具备4.68 eV的超宽能隙（Wide Bandgap），其性能优于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），可显著降低电力转换中的能量损耗。
Patentix总部位于日本滋贺县，自2025年起与奈良县的工业热处理设备制造商JTEKT Thermo Systems展开合作，共同设计制造适用于6寸晶圆的镀膜设备。通过双方的合作，成功实现了金红石型二氧化锗薄膜在硅基板上的均匀沉积。沉积后的薄膜表面呈现出镜面般的光泽，且整片基板未出现明显的光学干涉条纹（Interference Fringes），表明薄膜厚度分布高度均匀。
为加速技术商业化，Patentix计划进一步提升薄膜品质，并预计在2027年开始进行6寸硅基二氧化锗（GeO2-on-Si）基板的样品试制。量产工作将由日电精密工业（Niden Seimitsu Kogyo）位于岐阜县神户町的工厂负责。此外，Patentix还推动了“琵琶湖半导体构想”的官民合作项目，旨在以滋贺县、京都府、大阪府和岐阜县为中心，构建以功率半导体为核心的开发与制造供应链。
2026年5月，Patentix内部正式成立了专门推动该构想的部门，标志着项目进入实质性运作阶段。这项技术未来有望应用于功率元件中的二极管（Diode）和晶体管（Transistor）等领域，为功率半导体行业带来新的突破。
