据花旗最新研报显示，全球存储芯片行业正迎来前所未有的超级景气周期。预计到2026年，DRAM均价同比涨幅将达到200%，NAND闪存价格同比上涨约186%。高盛进一步预测，2026年DRAM涨幅可能达到250%-280%，NAND闪存涨幅则在200%-250%之间。
本轮存储芯片涨价的核心原因在于供给端的结构性紧缺。HBM（高带宽内存）的供需失衡尤为突出。生产HBM的晶圆消耗量是普通DRAM的3-4倍，且制造工艺复杂，涉及先进封装和硅通孔技术，产能扩张周期漫长。三星、SK海力士和美光等全球三大存储龙头，优先将产能向HBM和服务器级DRAM倾斜，导致PC和移动端通用DRAM供给严重不足。机构数据显示，截至2026年底，DRAM比特供应增长率仅为30%，远低于AI算力扩张需求。
花旗近期大幅上调美光目标价，从425美元调高至840美元，涨幅接近翻倍，并维持“买入”评级。花旗预测，美光2027财年核心每股收益将突破百元，达到104.56美元。同时，花旗将全球NAND闪存龙头闪迪目标价从1300美元上调至2025美元，潜在涨幅约51.9%。机构认为，AI数据中心需求强劲，企业级SSD订单火热，闪迪已签署大量长期供货协议，保障80%以上基准毛利率。
机构最新价格监测数据显示，2026年第二季度，通用型DRAM合约价环比上涨58%-63%，NAND闪存整体合约价环比大涨70%-75%。细分品类中，PC端DRAM虽面临整机需求承压，但因原厂缩减供货，价格仍获强力支撑。企业级SSD因AI推理需求激增，订单持续火热，供给缺口短期内难以填补。
