据韩媒Theelec报道，韩国晶圆代工企业DB HiTek宣布，其碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的首批量产代工启动时间将从原定的2026年第4季度推迟至2027年第1季度。
DB HiTek在2023年宣布进军SiC和GaN市场，这两种材料是功率半导体的重要组成部分。SiC主要应用于高电压场景，如电动车超级充电站和高压直流输电；而GaN则更多用于低电压领域，例如AI数据中心和机器人驱动器。尽管市场对GaN的需求较高，但SiC的开发进展较为缓慢，目前仍处于初期阶段。
据多位业内人士透露，DB HiTek面临技术门槛和市场低迷的双重挑战。公司计划采用8英寸晶圆进行代工生产，而非目前主流的6英寸规格。然而，由于韩国在SiC和GaN制程技术上的成熟度较低，8英寸晶圆的良率表现不佳，价格竞争力也较弱。
DB HiTek在争取IC设计客户方面也遇到困难。以SiC为例，要在1700V以上高压环境下稳定运行的元件设计难度极高，而韩国具备相关技术的企业寥寥无几。目前，多数韩国企业仅能实现1200V级别的半导体产品，主要应用于电动车和充电桩市场，但该领域的需求尚未完全释放。
为确保未来增长，DB HiTek已在2025年底生产多项目晶圆（MPW）试制品，并交由韩国IC设计公司Sigetronics等客户进行评估。然而，公司并未具体说明量产推迟的原因，仅表示并无特别异常问题。
值得注意的是，DB HiTek还在缩减扩产投资规模。据公司2026年3月发布的年度报告显示，用于确保整体产能的投资金额为1659亿韩元（约合1.12亿美元），较年初计划的2715亿韩元减少了约40%。
