据报道，5月14日，联华电子正式发布其最新的14纳米嵌入式高压（eHV）FinFET技术平台，专为显示驱动芯片设计。目前，该技术平台已向客户交付制程设计套件（PDK），并完成了在联电12A厂的验证。新平台在提升电源效率和性能的同时，还能显著缩小芯片尺寸。
联电的14纳米eHV FinFET平台相较于其现有的22纳米eHV解决方案，功耗降低了40%，芯片面积减少了35%。这不仅延长了设备的电池续航时间，还支持更轻薄、更小型的驱动模块设计，满足高端及折叠式OLED智能手机的显示需求。在数字电路设计方面，14纳米平台采用FinFET晶体管取代传统平面晶体管，通过优化的I/O元件设计和更高的驱动速度，进一步提升了电气性能，确保信号完整性，满足高分辨率显示所需的高刷新率。此外，优化的中压元件具备更小的线宽间距，支持更宽的电压操作范围，为驱动电路设计提供了更高的灵活性。
联电技术研发副总经理徐世杰表示，显示应用的市场需求正朝着更高画质、更快速度和更低功耗的方向发展。联电在显示驱动IC市场保持领先地位，此次推出的14纳米eHV平台首次将FinFET技术引入显示驱动领域，具有重要的里程碑意义。随着客户产品功能的不断升级，联电将持续以领先的制程技术，帮助客户将创新构想转化为可量产的成果。
联电长期以来在OLED显示驱动IC市场占据重要地位，是目前业界唯一能够提供最先进22纳米显示驱动IC解决方案的晶圆代工厂。
