SK海力士HBM混合键合工艺良率已提升

据韩媒报道，SK海力士近日宣布，其高带宽存储器（HBM）混合键合工艺的良率已实现显著提升。

公司技术负责人金钟勋（Kim Jong-hoon）透露，采用混合键合技术的12层HBM堆叠结构已完成验证工作。目前，团队正集中精力优化良率，以确保该技术能够顺利投入实际生产。这一进展标志着SK海力士在高性能存储器领域的技术研发迈出了重要一步。

混合键合技术被认为是推动HBM性能提升的关键工艺之一。通过该技术，存储芯片能够实现更高的带宽和更小的尺寸，从而满足人工智能、高性能计算等领域日益增长的需求。