三星提前启动平泽P5 Fab2建设

据韩媒《韩国经济》《每日经济》等援引业界消息，三星电子计划于2026年7月启动平泽半导体园区P5 Fab2的建设工程，较原定计划的2027年初提前约半年。此举旨在应对存储器需求的快速攀升，提前扩充产能，为预计延续至2027年以后的存储器超级周期做好准备。

P5 Fab2的建设将与2025年底复工的P5 Fab1同步推进，两条产线合计投资总额预计达120万亿韩元（约合820亿美元）。新厂房将以多功能形式设计，灵活应对市场变化，涵盖次世代DRAM（包括高带宽存储器HBM）、NAND Flash以及先进制程晶圆代工产线。

P5 Fab1预计于2029年正式投产，与P5 Fab2合计月产能可达60万片（以12英寸晶圆计），几乎与三星当前DRAM整体月产量65万片相当，规模庞大，备受业界关注。

三星全力押注产能扩张，背后是存储器需求的超预期增长。尤其是以HBM为代表的DRAM和NAND市场，需求持续攀升。业内人士分析，三星此举不仅是为了满足当前市场需求，更是为了在未来数年的AI半导体市场中巩固其主导地位。

此外，晶圆代工市场的格局变化也推动了三星的加速布局。NVIDIA、Tesla、高通等科技巨头为分散供应链风险，近期大幅加强与三星晶圆代工部门的合作。能否快速建立足够的生产基地以承接这些客户，已成为决定未来市占率的关键因素。