国产AI芯片企业寒序科技（ICY Tech）近日宣布，与三星生态设计伙伴SEMIFIVE合作，基于三星8nm eMRAM工艺成功完成边缘AI芯片的流片。这是亚洲首个8nm嵌入式MRAM商业化部署案例，由寒序科技主导底层核心技术研发。
寒序科技凭借在MRAM定制开发和存算架构方面的深厚积累，成功进入三星8nm eMRAM工艺窗口。与常规ASIC项目不同，寒序科技全程主导了MRAM比特单元、外围电路、高带宽读出及大模型推理算子加速等底层方案设计，而SEMIFIVE则负责后端硅实现与MPW流片支持。双方通过“底层架构自研+国际生态落地”的合作模式，突破了标准IP调用的局限。
技术上，寒序科技采用了“MRAM+SRAM”混合存储架构，有效解决了传统AI芯片的“内存墙”问题。该方案用eMRAM替代大规模片上SRAM，克服了工艺缩微后SRAM面积效率低、功耗高的难题。结合近内存处理（PNM）架构与GEMV计算，该芯片可加速Transformer推理关键算子，支持20亿参数大模型端侧运行，性能对标国际顶尖推理芯片，同时在存储密度与能效上实现超越。
这款芯片主要面向私有AI Agent、人形机器人等端侧场景，同时适配具身智能与云端推理中心，可作为GPU/HBM体系外的高能效推理加速模块。eMRAM具备非易失、高带宽、低功耗的特性，无需刷新即可长期保存数据，单元尺寸远小于SRAM，特别适合功耗与空间受限的边缘设备，为国产端侧AI应用提供核心算力支持。
此次流片成功是寒序科技依托北大物理学院应用磁学中心技术积淀，在自旋电子学与存算一体领域的重要成果。作为国产AI芯片新锐，寒序科技以底层技术创新为核心，此次突破不仅巩固了其在MRAM存算架构领域的领先地位，还推动国产AI芯片从应用层向底层核心技术迈进。
