据韩媒ET News援引业界消息，软银（SoftBank）旗下AI存储器专业子公司SaiMemory计划于2026年6月在美国夏威夷举办的VLSI研讨会上，首次公开与英特尔（Intel）共同研发的新一代3D存储器技术HB3DM（Hybrid Bonded 3D Memory）。该技术被视为针对当前高带宽存储器（HBM）主要缺陷而设计的次世代解决方案。
HB3DM技术采用9层堆叠结构，包括1层逻辑层和8层DRAM层，芯片厚度被削减至3微米，并通过融合键合（fusion bonding）技术实现层间近乎完全的接合。此外，该技术还引入Via-in-One架构，使8层存储器堆叠内部的所有金属配线能够直接与垂直矽穿孔（TSV）一次性连接。这一设计显著降低了功耗，同时实现了每平方毫米约0.25 Tb/s的高带宽。
与传统HBM相比，HB3DM解决了因微型凸块（micro bump）连接导致的高功耗和发热量问题，并突破了容量扩展的限制。凭借其低功耗特性，HB3DM在缓解AI数据中心电力成本方面具备优势，同时在代理式AI（Agentic AI）和边缘运算（Edge Computing）等特定场景中表现突出。
不过，受限于9层堆叠架构，HB3DM的存储容量仍不及HBM，这在AI加速器市场中可能成为其短板。目前，SaiMemory与英特尔已签署技术合作协议，共同推进ZAM（Z-Angle Memory）开发，HB3DM正是该合作的首个正式成果。双方计划于2027年完成原型开发，并在2029年实现商用化。
业内人士指出，HB3DM的发布标志着混合键合（hybrid bonding）技术正逐步成为HBM主导市场的潜在替代方案。尽管HBM4预计将在2027年前继续主导市场，但HB3DM相关产品有望在2028年后对其形成竞争压力。
SaiMemory在存储器大规模量产方面的经验不足，仍是外界关注的焦点。未来量产时的良率、成本和生产规模将成为关键挑战。与此同时，AI存储器市场的竞争重心正从单纯追求带宽和容量，转向功耗与散热的平衡，而HB3DM在这一领域具备显著优势。
