SK海力士正计划调整其位于韩国清州的M15X存储器生产基地的投资策略，将重心从第五代10纳米级（1b）DRAM转向第六代10纳米级（1c）DRAM。这一调整被认为是对近期高带宽存储器（HBM）和通用DRAM市场快速变化的提前应对。
据韩媒ZDNet Korea报道，SK海力士正在讨论扩大M15X厂内1c DRAM的设备投资规模，预计将超过原定计划。M15X基地占地约6万平方米，预计DRAM总产能约为每月9万片晶圆。此前，SK海力士计划在M15X集中投资1b DRAM，因为1b DRAM是HBM3E和HBM4所使用的裸晶（Core Die）。HBM4预计于2026年正式商用化，并搭载于NVIDIA最新AI加速器Vera Rubin系列。
SK海力士原计划自2025年第4季起在M15X投入1b DRAM设备，并逐步将产能扩大至约8万片，同时在剩余空间导入小规模1c DRAM生产线。最新消息显示，SK海力士正推动将原定2026年下半年进行的M15X设备采购转向订购1c DRAM设备。
业内人士透露，SK海力士基于投资效率考量，决定将1c DRAM作为投资重心。这一调整主要是因为NVIDIA的Vera Rubin因最优化问题导致出货量缩减，SK海力士已下修2026年HBM4目标出货量20~30%。因此，继续扩张1b DRAM产能的必要性大幅降低。
相比之下，作为最新一代DRAM的1c DRAM，未来需求预计将大幅增长。SK海力士不仅在新一代HBM产品HBM4E中采用1c DRAM，SOCAMM2存储器模块也同样应用1c DRAM。SOCAMM是NVIDIA自主开发的新一代存储器模块标准。
在此背景下，外界预估，SK海力士将在M15X至少执行4万片产能规模的1c DRAM设备投资。
