据韩媒Digital Times报道，三星电子近期在其官方技术博客中表示，其4纳米FinFET制程技术已基于长期量产经验与大规模生产数据，展现出高度成熟性。三星强调，通过持续积累的制造“know-how”，不仅提升了整体良率与稳定性，还能更灵活满足客户多样化的设计需求。
市场分析认为，三星在全力推进2纳米GAA制程的同时，也在积极巩固成熟节点的竞争力，采取“先进与成熟并进”的双轨策略，以扩大接单基础。技术表现方面，三星指出，相较于前一代制程，4纳米技术在布线电阻与RC电路延迟上改善约26%，有助于提升数据传输效率与整体运算性能。此外，该制程支持多种临界电压选项，可在低功耗与高效能之间实现弹性配置，满足不同应用场景需求。
在应用层面，三星表示，4纳米FinFET制程已广泛支持人工智能加速器、第六代高带宽存储器（HBM4）基础晶粒、车用半导体及无线射频芯片等高效能与高可靠性产品，并可延伸至移动应用处理器、网通芯片及工业系统半导体等多元领域。
值得注意的是，随着AI半导体的快速发展，市场对大规模芯片的需求显著增加，“良率与稳定供应能力”变得尤为重要。相较仍在爬坡期的先进制程，具备成熟量产经验的节点更容易成为客户导入的首选。
业界认为，三星此时重新凸显4纳米FinFET制程，不仅是为了技术宣传，更具有明确的商业意图。一方面吸引追求先进效能但对风险敏感的客户，另一方面承接AI、车用等长周期产品需求，稳定扩大晶圆代工订单来源。随着半导体产业从单纯追求制程微缩转向“效能、功耗与供应稳定性”并重的竞争，4纳米这类“成熟先进节点”的重要性正快速上升。对三星而言，如何在2纳米竞赛之外，通过4纳米等节点建立稳定现金流与客户基础，将成为其晶圆代工事业扭转竞争态势的关键。
