据韩媒Money Today报道，三星电子、SK海力士与美光正加速布局第七代高带宽存储器（HBM4E）市场，预计该市场将从2027年开始快速增长。NVIDIA、AMD和Google等科技巨头已计划在新一代AI芯片中采用HBM4E，进一步推动市场需求。
具体来看，NVIDIA计划在其新一代AI加速器Vera Rubin Ultra中搭载HBM4E，目标存储容量达1TB，相比前一代Vera Rubin的288GB提升显著。AMD则预计在2027年推出基于CDNA 6架构的Instinct MI500，同样采用HBM4E技术。AMD CEO苏姿丰在2026年CES展会上透露，该产品将使用台积电2纳米级制程生产。此外，Google也被传出正在评估在其新一代张量处理器（TPU）中引入HBM4E。
为抢占市场先机，三星计划于2026年5月向主要客户交付首批HBM4E样品，采用10纳米级第六代1c DRAM制程，并结合自家4纳米晶圆代工技术生产基础裸晶。同时，三星还计划在HBM4E中局部导入新一代混合键合（Hybrid Bonding）堆叠技术，以延续其市场主导地位。
SK海力士则计划在2026年下半年供应HBM4E样品，制程从1b升级至1c，基础裸晶可能采用台积电3纳米制程，力求在稳定供应的基础上进一步提升性能优势。美光同样在开发基于1c DRAM制程和台积电3纳米基础裸晶的HBM4E，目标是在2027年下半年实现量产。
韩国业内人士指出，HBM4E不仅对存储容量提出更高要求，还考验企业在精细制程、基础裸晶和封装技术上的综合实力。随着主要客户明确采用蓝图，存储器厂商间的竞争将更加激烈。
