据报道，AI算力的军备竞赛已从芯片性能扩展到封装材料领域，玻璃基板成为这场技术变革的核心。随着AI芯片算力需求激增，传统铜箔基板（CCL）因材料特性限制，难以满足高带宽存储器（HBM）整合和复杂封装需求，而玻璃基板凭借其优异性能崭露头角。
玻璃基板的优势主要体现在尺寸稳定性和热性能上。其热膨胀系数（CTE）仅为3~5ppm/°C，与矽芯片的2.6ppm/°C接近，远低于铜的17ppm/°C，且耐温高达700°C以上，能有效降低多芯片堆叠时的热应力。此外，玻璃基板具备高表面平整度和低介电损耗，通过玻璃钻孔（TGV）技术，可实现更精细的线路和更高的I/O密度，为未来单一封装整合1万亿个晶体管的目标提供了技术支持。
英特尔是玻璃基板技术的先行者。据韩媒报道，英特尔早在2023年9月展示了相关技术，并计划在本世纪末实现万亿晶体管封装目标。目前，英特尔已在美国亚利桑那州建立研发与试产设施，将其定位为“系统级整合”的关键。韩国厂商同样不甘落后，三星电机已向苹果等客户提供样品，预计2026年完成试产；SKC旗下Absolics则计划在2027年前后实现商业化。
中国台湾地区相关企业正积极布局玻璃基板生态圈。欣兴作为英特尔的重要合作伙伴，预计2026年展开验证，2027年后进入量产。南电与景硕也在加速跟进，满足3D封装需求。此外，钛升的TGV雷射钻孔技术已切入全球供应链，配合台玻高品质载体。
尽管玻璃基板性能优越，但其脆性带来的加工难度和良率问题仍是量产的主要挑战。据业内人士透露，2026年将成为大规模验证的关键节点，2027~2028年有望逐步实现商用化，迎来稳定出货和放量成长。
