据报道，AI技术的快速发展推动了高带宽存储器（HBM）需求的爆发，而DRAM供不应求的局面使得CSP大厂提前预定未来两年的产能。与此同时，HBM的容量需求预计将持续倍数增长，3D DRAM技术的崛起或将突破现有制程微缩的瓶颈。
硅谷新创公司NEO Semiconductor宣布，其3D X-DRAM技术已在中国台湾地区半导体研究中心（TSRI）完成概念验证（POC）。未来，NEO计划与全球AI大厂及存储器厂商洽谈合作开发或策略联盟，目标是在2030年实现3D DRAM的规模化生产。
NEO Semiconductor CEO许富菖表示，其3D DRAM技术已成功通过POC验证，预计将在2030年迈入量产阶段。他指出，存储器产业中，NAND Flash早在2014年就实现了从2D到3D堆叠的转型，容量在10年内增长了10倍。然而，DRAM技术在过去10年中始终未能突破电容限制，难以实现3D架构。
目前，HBM技术通过堆叠DRAM芯片暂时缓解了带宽不足的问题，但堆叠层数一旦超过20层，将面临散热、封装成本和良率等严峻挑战。市场预计，AI算力将推动HBM容量需求在2030年增长10倍，但DRAM的物理极限仍是行业的一大隐忧。
许富菖强调，NEO的3D X-DRAM技术采用无电容架构，结合成熟的3D NAND制程，提供高容量且可扩展的3D垂直堆叠解决方案。测试芯片显示，该技术具备小于10纳秒的读写延迟，并在85°C条件下实现了超过1秒的数据保持能力，有助于降低AI服务器的电力损耗。
此外，NEO在A轮融资中获得了宏碁创始人施振荣的策略性投资，资金将用于技术研发与产品化推进。施振荣表示，希望通过这项创新技术的商品化，弥补中国台湾地区在存储器产业设计能力上的短板，同时为全球存储器技术发展贡献力量。
本次测试芯片由NEO与阳明交通大学产学创新研究学院共同开发，并在中国台湾地区半导体研究中心完成制作与测试。阳明交大IAIS院长孙元成指出，此次成果展现了产学合作的价值，验证了NEO新型存储器架构的可行性。
未来，NEO计划在2026年完成POC突破后，于2年内开发原型，并在2030至2032年间实现规模化量产。这一技术有望通过授权与合作模式，推动下一代AI存储器解决方案的落地。
